型号:

ESDA5-1F4

品牌:ST(意法半导体)
封装:0201
批次:24+
包装:-
重量:-
其他:
-
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ESDA5-1F4 一小时发货
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) ESDA5-1F4
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商品单价
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15000+
0.13
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5.5V
钳位电压9V
峰值脉冲电流(Ipp)11A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)110W@8/20us
击穿电压5.8V
反向电流(Ir)100nA
通道数单路
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容110pF

ESDA5-1F4 产品概述

一、核心参数

  • 型号:ESDA5-1F4(ST,意法半导体)
  • 类型:单向 TVS / ESD 保护二极管(单路)
  • 反向工作电压 Vrwm:5.5 V
  • 击穿电压:5.8 V
  • 钳位电压(典型):9 V
  • 峰值脉冲电流 Ipp:11 A(8/20 μs)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:110 W(8/20 μs)
  • 反向漏电流 Ir:100 nA
  • 结电容 Cj:110 pF
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 防护等级:满足 IEC 61000-4-2
  • 封装:0201(超小型表面贴装)

二、主要特性与优势

ESDA5-1F4 提供对静电放电和短时浪涌的快速钳位保护,适用于对瞬态事件要求较高的应用。单向结构便于在有确定极性的电源或信号线上使用;低漏电(100 nA)适合对静态功耗敏感的系统。0201 超小封装有利于空间受限的产品设计和多通道密集布置。

三、典型应用场景

  • 5 V 电源输入与外围保护(例如 USB、充电口)
  • 手持设备、可穿戴、IoT 终端的外部接口防护
  • 传感器模块和低速数字 I/O 端口的浪涌/ESD 防护
  • PCB 边缘或连接器附近的局部保护

四、设计与布局建议

  • 尽量将器件布置在受保护端与参考地(GND)之间,靠近连接器或入口处,减小回路电感与走线长度。
  • 为降低回流阻抗,建议在保护器附近设置多点接地或地平面并使用短、粗的地线/过孔。
  • 结电容 110 pF 较大,会对高速差分信号或高频链路产生显著影响(例如 USB2.0 以上、高速串行总线),因此该器件更适合电源线或低速信号;若需保护高速数据信号,应优先选择低电容型 TVS。
  • 11 A / 110 W(8/20 μs)为短脉冲能力,适合应对 ESD 与短时浪涌,不用于替代长期过流保护器件。

五、封装与焊接注意事项

0201 极小封装对贴装精度与回流焊工艺要求较高,需注意焊膏量与锡膏印刷模板设计,避免桥连或偏位。工作温度范围广,可适应商业与工业级温度环境。

六、选型要点与限制

  • 若系统标称电压≤5 V 且允许最高钳位约 9 V,可采用;对更敏感的电路(需更低钳位或更低结电容)则需另选型号。
  • 对长时间或高能量冲击(非瞬态)应配合保险丝、抑制器或滤波电路共同防护。

总结:ESDA5-1F4 在空间受限、以 5 V 及以下电源体系为主的设备中,能提供有效的 ESD/浪涌瞬态防护;在高速信号路径上使用时应注意其较高的结电容带来的影响。