型号:

ESD105B102ELE6327XTMA1

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TSLP-2
批次:25+
包装:编带
重量:0.072g
其他:
-
ESD105B102ELE6327XTMA1 产品实物图片
ESD105B102ELE6327XTMA1 一小时发货
描述:Bi-directional Ultra-low Capacitance ESD/Transient Protection
库存数量
库存:
12019
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:15000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.507
15000+
0.47
产品参数
属性参数值
类型齐纳
双向通道1
电压 - 反向断态(典型值)5.5V(最大)
电压 - 击穿(最小值)6.1V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)14V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)5A(8/20µs)
功率 - 峰值脉冲70W
电源线路保护
应用以太网,HDMI
不同频率时电容0.3pF @ 1MHz
工作温度-55°C ~ 125°C(TJ)
安装类型表面贴装型
封装/外壳0402(1006 公制)
供应商器件封装TSLP-2-20

ESD105B102ELE6327XTMA1 产品概述

ESD105B102ELE6327XTMA1 是英飞凌(Infineon)面向高速数据接口的双向超低电容瞬态抑制器件,采用超小型 0402(1006 公制)表面贴装封装(供应商封装 TSLP-2)。该器件以齐纳击穿机制实现对静电放电(ESD)和浪涌瞬态的快速钳位,专为以太网、HDMI 等高速差分信号线提供保护,同时对信号完整性的影响极小。

一、主要特性

  • 双向(Bi-directional)单通道保护,适合差分对或单端高速接口。
  • 超低输入电容:0.3 pF(@1 MHz),对高速信号的带宽影响极小,减少信号失真与时延。
  • 典型反向断态电压:5.5 V(最大),确保在正常工作电压下不触发。
  • 击穿电压(最小):6.1 V,提供稳定的钳位动作起始点。
  • 峰值脉冲电流 Ipp:5 A(8/20 µs 波形),可承受常见的浪涌与静电脉冲。
  • 峰值脉冲功率能力:最高可达 70 W(脉冲条件参考厂商数据)。
  • 封装尺寸极小(0402),便于高密度 PCB 布局与小型化终端设计。
  • 工作温度范围:-55°C 至 125°C(结温 TJ),满足工业级温度要求。

二、电气性能要点

器件以齐纳击穿实现钳位功能,在超过击穿电压时迅速导通,将瞬态能量分流到地或对称线路,从而保护后端敏感器件。典型参数包括反向断态电压 5.5 V(最大值)、最低击穿电压 6.1 V;在标准浪涌条件下钳位电压可达 14 V(视测试条件和 Ipp 而定)。超低电容(0.3 pF)是其关键优势,适合对信号完整性要求高的 100/1000Base-T 以太网、HDMI/USB 等接口。

三、封装与可制造性

  • 封装:0402(1006 公制),供应商器件封装标识 TSLP-2;安装类型为表面贴装(SMD)。
  • 小尺寸带来占板面积极小、可实现高密度布线;但在贴装和回流焊工艺中需注意焊盘设计与助焊剂用量,确保可靠焊接与热循环寿命。

四、典型应用场景

  • 以太网接口(尤其要求低电容以维持信号完整性的千兆及以上链路)。
  • HDMI、DisplayPort 等高带宽视频接口的保护。
  • USB、差分高速信号线与防护模块中作为通用线缆端浪涌与静电防护器件。
  • 适用于消费电子、网络设备、显示终端和工业通信设备的接口保护。

五、设计与使用建议

  • 将器件放置在入板靠近接口引脚处,尽量靠近连接器或走线入口,以缩短未保护走线长度。
  • 对于差分对,建议在两信号线上各放置一个器件或选择成对布局,确保对称保护与最小串扰。
  • 注意 PCB 接地结构:良好的接地平面和旁路路径可更有效引导浪涌能量,降低环路电感。
  • 在焊盘和回流温度曲线设计上参考英飞凌的封装与组装指南,避免过度热暴露或焊接缺陷。
  • 检查器件在目标系统工作电压下的反向断态电压,确保不会在正常工作时误触发。

六、可靠性与验证

器件额定工作温度为 -55°C 到 125°C(TJ),适合工业级应用。实际使用中建议在目标板上进行 ESD(IEC 61000-4-2)、浪涌(IEC 61000-4-5)和信号完整性测试,验证在系统环境下的钳位效果和对高速信号的影响。

七、总结

ESD105B102ELE6327XTMA1 是一款面向高速接口、兼顾超低电容与高脉冲承受能力的双向瞬态抑制器。其 0402 超小封装适合现代小型化电子产品,在以太网与 HDMI 等对信号完整性要求严格的应用中可提供有效保护。设计时需关注焊接工艺、布板位置与接地策略,以发挥器件最佳保护效果并保持高速链路性能。