型号:

EL817C

品牌:AOTE(奥特)
封装:DIP-4
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
EL817C 产品实物图片
EL817C 一小时发货
描述:-
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商品单价
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0.132
100+
0.11
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.2V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)5kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压80V
输出通道数1
集射极饱和电压(VCE(sat))100mV@20mA,1mA
上升时间(tr)4us
下降时间3us
工作温度-55℃~+110℃
电流传输比(CTR)最小值200%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值400%
正向电流(If)50mA

EL817C 光电耦合器(AOTE/奥特)产品概述

一、产品简介

EL817C 是一款单通道光电三极管隔离器件,封装为 DIP-4,适合在要求高共模隔离和低功耗驱动的场合做数字/模拟信号隔离。器件输入为直流 LED 驱动,输出为光电三极管,具有优良的电流传输比(CTR)和较低的集射极饱和电压,适合微处理器接口、开关电源反馈及工业控制等场景。

二、主要参数

  • 隔离电压(Vrms):5 kV
  • 输入类型:DC(LED)
  • 正向压降(Vf):约 1.2 V(If = 标称值)
  • 正向电流 If(最大):50 mA(建议工作点见下)
  • 直流反向耐压 Vr:6 V
  • 电流传输比 CTR:最小 200%,典型/最大可达 400%(饱和值)
  • 输出类型:光电三极管,输出电流可达 50 mA,最大负载电压 80 V
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):约 100 mV(条件示例:If = 20 mA,Ic = 1 mA)
  • 上升/下降时间 tr/tf:约 4 μs / 3 μs(低速开关应用)
  • 工作温度:-55 ℃ ~ +110 ℃
  • 封装:DIP-4,品牌:AOTE(奥特)

三、性能与特性

  • 高隔离强度:5 kVrms 满足大多数工业与电源隔离要求。
  • 大 CTR:200%~400%,在较低驱动电流下即可获得较大输出电流,利于降低输入功耗。
  • 低 VCE(sat):在饱和条件下输出电压低(约 0.1 V),适合驱动下级逻辑或小型负载。
  • 中等开关速度:tr/tf 为数微秒,适合数 kHz~数十 kHz 的信号隔离,但不适合高频脉冲或高速数据链路。

四、典型应用

  • MCU/逻辑电平隔离接口(按 CTR 选择驱动电流)
  • 开关电源反馈回路(光耦隔离误差放大器输出)
  • 工业控制信号隔离(PLC、传感器)
  • 继电器/小功率晶体管前级隔离驱动

示例驱动计算:若需得到 Ic = 10 mA(输出),在 CTR 最小 200% 时,所需 LED 电流 If ≈ Ic / CTR = 10 mA / 2 = 5 mA。按照 Vf ≈ 1.2 V 和驱动电压 Vdrive,可计算限流电阻 R = (Vdrive - 1.2 V) / 5 mA。

五、设计建议与注意事项

  • 建议在常规应用中将 If 控制在 1~20 mA 范围,以兼顾寿命与热耗;尽量避免长期在 50 mA 极限值工作。
  • 输出侧需配置合适上拉/限流电阻,注意输出器件的饱和区域与线性区差异。
  • 对于需要更高速或精确模拟传输的场合,考虑专用高速光耦或隔离放大器。
  • 安装与焊接请参考厂商数据手册的推荐工艺与最大热应力参数,保证隔离性能与长期可靠性。

EL817C(AOTE)凭借高隔离、宽温度范围与较高 CTR,在工业与电源领域是性价比较高的光电耦合选择。购买与设计时请以厂商最新数据手册为准。