2SAR513PHZGT100 产品概述

一、产品简介

2SAR513PHZGT100 为 ROHM（罗姆）出品的一款 PNP 型小功率双极结晶体管（BJT），采用 SOT-89 封装，针对空间受限、需要中等电流与中等电压能力的小信号放大和开关电路设计而优化。器件在小封装下提供高电压耐受与较高直流增益，适合便携设备、消费电子及电源控制应用。

二、主要参数亮点

• 晶体管类型：PNP
• 集电极电流（Ic，最大）：1 A
• 集射极击穿电压（Vceo）：50 V
• 耗散功率（Pd）：500 mW（参考环境温度，具体以数据手册热降额曲线为准）
• 直流电流增益（hFE）：180（条件：Ic = 50 mA，VCE = 2 V）
• 特征频率（fT）：400 MHz（高频特性良好，适合小信号放大）
• 集电极截止电流（Icbo）：1 μA（低漏电流，有利于高阻态精确控制）
• 集射极饱和电压（VCE(sat)）：400 mV（给出条件：@500 mA, 25 mA）

三、典型应用场景

• 高侧开关与负载控制：PNP 特性便于在正电源侧实现开关控制，用于驱动继电器、小电机或作为电流路径切换元件。
• 小信号放大：高 hFE 与 400 MHz 的 fT 使其适合用作中频或前置放大级，特别是在要求低噪和高增益的便携音频或射频前端电路中。
• 驱动与缓冲：可作为功率器件或更大功率晶体管的前置驱动级，配合合适偏置实现快速饱和开关。
• 电源与电池管理：用于反接保护、功率分配或简单线性稳压器的控制元件（需注意 Pd 限制）。

四、封装与热管理

SOT-89 封装占板面积小、散热性能优于 SOT-23，但 Pd=500 mW 表明在高功耗或高环境温度下需注意热降额。设计时应：

• 参考厂商提供的 Rth(j-a) 与热降额曲线，计算允许的平均功耗；
• 在 PCB 布局中增加散热铜箔或通过垫片提升散热能力；
• 在长期大电流应用中考虑并联器件或选择更大封装器件以避免过热。

五、设计建议与使用要点

• 饱和开关设计：当用作开关时，建议按要求给足基极电流以保证饱和。经验上，为获得低 VCE(sat)，可将基极驱动按强制 β ≈ 10–20 设计（即 IB ≈ IC/10–20），并计算基极限流电阻。
• 放大电路偏置：在模拟放大应用中，利用 hFE=180（Ic=50mA 条件）作为参考，但真实电路应测量并考虑 hFE 随 Ic、VCE 与温度的变化。
• 漏电与待机：Icbo=1 μA 的低漏电流利于待机电路，但在高温下漏电会上升，应在精密电路中保留裕量。
• 安全工作区：避免长期在接近 Vceo 或高 Ic × VCE 的工作点下运行，以防击穿或过热损坏。

六、采购与替代

该器件为 ROHM 品牌产品，SOT-89 封装适合生产线上自动贴装。若电流或功耗要求较高，可考虑封装更大或 Pd 更高的同类 PNP 器件。选型时请以官方数据手册为准，确认温度范围、热阻与测试条件以确保设计可靠性。

总结：2SAR513PHZGT100 在 SOT-89 小封装中提供了 50 V 耐压、1 A 峰值电流与较高 hFE、fT，适合中等功率的高侧开关与小信号放大应用。设计时重点关注热管理与饱和驱动策略，以发挥其最佳性能。