UMD2NFHATR 产品概述

一、概述

UMD2NFHATR 是 ROHM（罗姆）推出的一款预偏置双晶体管阵列，内含一只 NPN 与一只 PNP 器件，面向小信号开关与放大应用。器件为表面贴装型（SOT-363 / UMT6），集成预置偏置电阻，简化外部电路设计与 PCB 布局，适合空间受限的便携与消费电子设备。

二、主要特性

• 集-发/集-极击穿电压 Vceo：50 V，耐压能力满足常见低压系统保护要求。
• 集电极电流 Ic：100 mA，适用于小电流驱动与信号开关。
• 功耗 Pd：150 mW（每器件），封装热阻限制了高功耗场合的持续输出。
• 直流电流增益 hFE：典型 56（测量条件 5 mA、5 V），保证良好的放大与开关增益性能。
• 预偏压特性：最小输入电压 VI(on) 约 3 V，输出导通电压 VO(on) 典型约 300 mV。
• 输入电阻约 28.6 kΩ，内部电阻比率（Resistor Ratio）约 1.2，便于与逻辑电平和微控制器接口。

三、电气参数要点

UMD2NFHATR 适用于高频至约 250 MHz 的小信号处理场景（器件资料指示的频率响应范围），在 5 mA 工作点具有稳定的 hFE 表现。VO(on) 的低电压降有利于降低导通损耗；同时 150 mW 的耗散功率提示在高占空比或连续导通时需注意热设计与散热路径。

四、典型应用

• 低电流开关与信号复用
• 逻辑电平接口与驱动（MCU、FPGA 的上/下拉辅助）
• 便携式音频、视频信号切换与缓冲
• 小型推挽、放大前级和传感器信号调理
• 光耦隔离驱动与继电器前置驱动（受限于电流/功耗）

五、封装与安装注意

器件采用 SOT-363（UMT6）小型封装，适合自动贴装与回流焊工艺。由于单器件功耗限制，建议在 PCB 布局时为其提供合适的铜箔散热路径并避免与大热源邻近；在连续高频或高占空比工作时，应评估结温并必要时限制平均电流。

六、产品优势与设计提示

UMD2NFHATR 的预偏置结构与内置电阻比设计，能大幅简化外围元件数量、缩短开发周期并提高电路的一致性。建议在设计时结合器件的 VI(on) 与输入电阻特性，确认逻辑驱动电平与噪声裕度；同时在功耗临界应用中通过限流或脉宽控制降低平均耗散，确保长期可靠性。