型号:

UMG11NTR

品牌:ROHM(罗姆)
封装:UMT5
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
-
UMG11NTR 产品实物图片
UMG11NTR 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-353-5
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3000+
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产品参数
属性参数值
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型
封装/外壳5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
供应商器件封装UMT5

UMG11NTR 产品概述

1. 产品简介

UMG11NTR 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的双 NPN 预偏压式数字晶体管,采用表面贴装型封装,型号为 UMT5。该器件集成了两个 NPN 晶体管,每个晶体管均带有预偏置电阻,适用于低功耗、高密度的电路设计。UMG11NTR 广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制等领域,特别适合需要高集成度和小型化的应用场景。

2. 关键特性

  • 晶体管类型: 双 NPN 预偏压式
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V
  • 基极电阻 (R1): 2.2 kΩ
  • 发射极电阻 (R2): 47 kΩ
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值 80 @ 10mA, 5V
  • 饱和压降 (Vce): 最大值 300mV @ 250µA, 5mA
  • 集电极截止电流: 最大值 500nA
  • 跃迁频率: 250MHz
  • 最大功率: 150mW
  • 封装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供应商器件封装: UMT5

3. 应用领域

UMG11NTR 由于其高集成度和小型化设计,适用于多种电子设备,包括但不限于:

  • 消费电子: 如智能手机、平板电脑、数码相机等。
  • 通信设备: 如路由器、交换机、基站等。
  • 工业控制: 如PLC、传感器、自动化设备等。
  • 汽车电子: 如车载娱乐系统、导航系统等。

4. 技术优势

  • 高集成度: 集成两个 NPN 晶体管,减少电路板空间占用。
  • 预偏置电阻: 内置基极和发射极电阻,简化外部电路设计。
  • 高频率性能: 跃迁频率高达 250MHz,适用于高频应用。
  • 低功耗: 最大功率仅为 150mW,适合低功耗设计。
  • 高可靠性: 采用高质量材料和先进制造工艺,确保长期稳定运行。

5. 封装与安装

UMG11NTR 采用表面贴装型封装,型号为 UMT5,封装尺寸为 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353。这种封装形式适合自动化生产线,提高生产效率,同时减少人工焊接错误。

6. 电气特性

  • 集电极电流 (Ic): 最大 100mA,满足大多数低功率应用需求。
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大 50V,提供足够的电压裕量。
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值 80 @ 10mA, 5V,确保良好的放大性能。
  • 饱和压降 (Vce): 最大值 300mV @ 250µA, 5mA,降低功耗。
  • 集电极截止电流: 最大值 500nA,减少漏电流。
  • 跃迁频率: 250MHz,适用于高频信号处理。

7. 环境与可靠性

UMG11NTR 符合 RoHS 标准,无铅环保,适合绿色电子产品设计。其高可靠性和稳定性使其在恶劣环境下仍能保持良好性能。

8. 总结

UMG11NTR 是一款高性能、高集成度的双 NPN 预偏压式数字晶体管,适用于多种低功耗、高密度的电子设备。其高频率性能、低功耗和高可靠性使其成为工程师在设计紧凑型电子设备时的理想选择。ROHM 公司的 UMG11NTR 凭借其卓越的技术优势和广泛的应用领域,将继续在电子元器件市场中占据重要地位。