RQ5E040AJTCL 产品概述

一、产品简介

RQ5E040AJTCL 是 ROHM（罗姆）出品的一款表面贴装型 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 30V，连续漏极电流 4A（Ta 条件），在 VGS=4.5V 时典型导通电阻仅 37mΩ。器件封装为 TSMT-3，适合对体积与散热有权衡要求的便携与板载电源应用。

二、主要电气参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（表面贴装）
• Vdss：30V
• Id（连续）：4A（Ta）
• RDS(on)：37mΩ @ VGS=4.5V
• VGS(th)：1.5V @ ID=1mA
• 总栅极电荷 Qg：4.3nC @ VGS=4.5V
• 输入电容 Ciss：480pF；输出电容 Coss：55pF；反向传输电容 Crss：40pF
• 耗散功率 Pd：1W（Ta）
• 工作结温/环境温度：-55℃ ～ +150℃

三、性能亮点

• 低导通电阻配合 30V 电压等级，适用于中低压功率开关场景；
• 较小的栅极电荷（4.3nC）有利于降低驱动能耗与开关损耗，适配 3.3V/4.5V 驱动逻辑；
• 紧凑 TSMT-3 封装，便于高密度 PCB 布局与自动化贴装。

四、典型应用场景

• DC-DC 升降压转换器、同步整流；
• 电源分配开关、加载开关与电池管理系统（BMS）开关元件；
• 小功率直流电机驱动、继电器替代与通断控制；
• 便携式设备与物联网终端的电源路径控制。

五、设计与布局建议

• 由于 Pd 在 Ta 条件下为 1W，实际功耗和结温受 PCB 铜箔面积与散热路径影响较大，建议在源/漏引脚处使用加大铜箔和过孔来提升散热；
• 为抑制振铃与控制上升/下降沿，推荐在栅极串联小阻（10–100Ω）并在驱动端做好旁路电容去耦；
• 临近器件保持合理间距，减小寄生电感，减少开关损耗与电磁干扰；
• 在高应力或开关瞬态场合，需评估 Coss/Crss 对能量吸收的影响并考虑加保护元件（TVS、RC 抑制等）。

六、可靠性与选型注意

RQ5E040AJTCL 适用于商业与工业类温度范围，工作结温可达 150℃。选型时请结合系统实际开关频率、占空比与热设计余量估算结温与功耗。若需更高功率或更低 RDS(on) 的方案，可考虑更大封装或并联使用，但需注意均流与驱动能力。

总体而言，RQ5E040AJTCL 在 30V/4A 级别上提供了低 RDS(on) 与较优的栅极驱动特性，适合体积受限且需高效率的电源开关应用。