2SB1731TL 产品概述

一、概述

2SB1731TL 为 ROHM（罗姆）出品的 PNP 型小功率通用晶体管，采用 TUMT-3 3 引脚封装，针对小信号放大与开关应用优化。器件在低压、大电流条件下保持较低饱和压与较高增益，适合便携式电源、驱动级与模拟放大电路。

二、主要电气参数

• 晶体管类型：PNP
• 集电极电流 (Ic)：1.5 A（最大）
• 集射极击穿电压 (Vceo)：30 V
• 耗散功率 (Pd)：典型 400 mW（封装与散热条件不同，资料中亦见 800 mW 标称，具体以厂家数据表及板上散热条件为准）
• 直流电流增益 (hFE)：270 @ Ic=100 mA, Vce=2 V
• 特征频率 (fT)：280 MHz
• 集电极截止电流 (Icbo)：100 nA
• 集电极饱和电压 VCE(sat)：约 370 mV @ Ic=1 A, Ib=50 mA
• 封装：TUMT-3（3 引脚小型封装）

三、性能亮点

• 高 hFE：在 100 mA 工作点时增益高达 270，利于减小基极驱动电流，适合驱动和放大级设计。
• 低 VCE(sat)：在大电流下仍能保持约 370 mV 的饱和压，降低功耗与发热。
• 高频特性良好：280 MHz 的 fT 使其在高频小信号放大场合具有良好响应。

四、典型应用场景

• 便携式设备的功率开关与驱动级（手机充电电路、便携音频放大）
• 小信号放大器、前级驱动电路
• 电源管理与负载切换（低压大电流场景）
• 通用替换与原型设计中的 PNP 器件需求

五、设计与使用建议

• 基极驱动：尽量按 hFE 预期留有裕量，实际工作电流若接近 Ic 最大值，应提供足够基极电流并考虑增益下降。
• 热管理：TUMT-3 为小型封装，Pd 受 PCB 铜箔面积与环境温度影响显著。必要时在 PCB 上扩散热铜箔或增大散热区域。
• 饱和区开关：若用于开关且需更低 VCE(sat)，可并联或选择更大功率封装器件。
• ESD 与焊接：遵循 ROHM 焊接曲线与静电防护要求，避免过热或重复回流导致性能退化。

六、选型要点与替代方案

选择时注意最大集电极电流与耗散功率是否满足系统峰值需求；若系统需更高 Pd 或更低 VCE(sat)，考虑使用更大封装或专用功率晶体管。与同类器件比较时，2SB1731TL 在小型封装中兼顾了较高 hFE 与较低 VCE(sat)，适合对体积与驱动效率有要求的应用。

备注：以上参数与应用建议基于器件主要特性，具体电气极限与热性能请以 ROHM 官方数据手册为准并在目标 PCB 上进行实际验证。