BSS138PS 产品概述

一、概述

BSS138PS 是一款由 UMW（友台半导体）提供的双通道 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23-6 小封装。该器件面向低功耗、低电压控制与开关应用设计，具有较低的门极电荷和小体积封装，适合便携式设备、信号电平移位、负载切换与通用开关场景。

二、主要电气参数

• 数量/通道：2 个 N 沟道 MOSFET（双通道）
• 漏源耐压 Vdss：60 V
• 连续漏极电流 Id：300 mA（单通道）
• 导通电阻 RDS(on)：2 Ω @ VGS=10 V；2.2 Ω @ VGS=4.5 V
• 耗散功率 Pd：350 mW（在额定条件下）
• 阈值电压 Vgs(th)：1.6 V @ ID=250 µA
• 栅极电荷 Qg：3 nC @ VGS=10 V
• 输入电容 Ciss：27 pF
• 输出电容 Coss：18 pF
• 反向传输电容 Crss：2 pF
• 工作温度范围：-55 ℃ 到 +150 ℃
• 封装：SOT-23-6

三、关键特性与优点

• 低 Vdss（60 V）与中等 Id（300 mA）组合，使器件可在中低电压供电系统中可靠工作，同时具备足够的浪涌和瞬态耐受能力。
• 相对较低的门极电荷（Qg≈3 nC）和小输入电容（Ciss≈27 pF）意味着器件在开关时所需驱动能量小，易驱动、转换速度快，适合高速或由微控制器直接驱动的场合。
• 在 VGS=4.5 V 条件下仍保持可接受的导通电阻（2.2 Ω），利于使用 5 V 或 3.3 V 逻辑电平进行驱动（需根据实际导通损耗评估）。
• SOT-23-6 小巧封装利于空间受限的 PCB 布局，且双通道设计方便实现对称或互补电路配置。

四、典型应用场景

• 电平移位：用于双向或单向电平移位电路，特别是在 I/O 保护与接口电路中。
• 低功耗开关：便携式设备的电源路径切换、负载快速切换或功率分配。
• 信号开关与路由：小信号开关、模拟开关或数字线路的控制。
• 驱动和保护电路：在受限空间内作为次级保护或限制器件使用。

五、设计与使用建议

• 热设计：器件的耗散功率为 350 mW，SOT-23-6 封装的热阻较大，长时间较高电流工作时需注意散热和降低结温，或采用间歇工作方式。
• 导通损耗评估：RDS(on) 在 4.5–10 V 门极电压下仍处于欧姆量级，若电路需要较大持续电流（接近或超过 100 mA），应计算导通功耗（I^2·R）并确认温升在允许范围内。
• 驱动电压：尽管阈值电压约 1.6 V，但要获得较低 RDS(on)，建议驱动到 4.5 V 或更高；若仅以 3.3 V 驱动，应验证导通电阻和损耗是否满足系统需求。
• 开关特性：较小的 Qg 和 Ciss 有利于降低驱动能量与提升转换速度，但在高频切换或大电流环境下仍需关注 EMI 与瞬态电压尖峰，必要时加入栅极电阻或吸收元件。
• 可靠性与温度：工作温度范围宽（-55 ℃ 至 +150 ℃），适合工业级应用，但在极端温度下参考厂商详细寿命与降额曲线进行设计。

六、结论与建议

BSS138PS（UMW/友台半导体）以其双通道 SOT-23-6 封装、低门极电荷和适中的耐压、电流特性，适合用于低功耗、小信号开关、接口电平移位及空间受限的应用场合。由于 RDS(on) 在欧姆级别，器件更适合信号级或中小电流场合而非高功率传导。如需用于更大电流或更低导通损耗的场景，建议选择 RDS(on) 更低、Pd 更高的器件或并联设计，并参照厂商完整数据手册进行热降额和可靠性校核。欲获取完整曲线、典型应用电路及引脚定义，请下载并参考 UMW 官方数据手册。