S8050 产品概述

一、产品简介

S8050 是一款通用 NPN 双极型晶体管，由友台半导体（UMW）生产，适用于低功耗开关和放大场合。器件额定集电极电流可达 500mA，集电极-发射极最大电压为 25V，耗散功率 300mW，常见于 SOT-23 小封装，便于表面贴装与高密度电路板设计。

二、主要特性

• 直流电流增益 hFE ≈ 120（测定条件 50mA、VCE=1V），在中低电流下具有良好放大能力。
• 集电极饱和电压 VCE(sat) ≈ 600mV（典型值），在开关饱和状态下压降较小。
• 特征频率 fT ≈ 150MHz，适合音频及低中频放大与驱动应用。
• 极限工作温度范围 -55℃ 至 +150℃，适合较宽温度工况。
• 极小漏电流：集电极截止电流 Icbo ≤ 100nA，降低静态泄漏损耗。
• 基-发射击穿电压 Vebo ≈ 5V；集-射击穿电压 Vceo ≈ 25V。

三、电气参数（重要规格）

• 晶体管类型：NPN
• 最大集电极电流 Ic：500mA
• 最大耗散功率 Pd：300mW（注意封装和升温限制）
• VCE(sat)：约 600mV（导通饱和时）
• Icbo：≤ 100nA
• fT：约 150MHz

四、封装与引脚

器件常见封装为 SOT-23，三脚排列适合自动贴片生产。请参考厂家数据手册获取确切引脚顺序与引脚功能图，以保证焊接和电路连接无误。

五、典型应用

• 低功耗开关与驱动（继电器、指示灯、信号电平转换）
• 小信号放大器（音频前级、传感器信号调理）
• 电源管理辅助电路与接口缓冲
• 消费电子、通信设备和工业控制系统中的通用放大、开关单元

六、使用建议与注意事项

• 由于 Pd 仅 300mW，须考虑 PCB 散热设计和封装热阻，避免在高集电极电流和高环境温度下长期接近极限功耗。
• 当作为开关使用时，合理选择基极限流电阻以确保进入饱和同时避免基极过流。
• 注意 Vebo（约 5V），基-发间反向电压不可超过规格以防损坏。
• 在高频应用中，请参考小信号模型并做好寄生电容、走线布局的控制。

七、可靠性与存储

器件工作温度范围宽（-55℃~+150℃），适合多种工况。元器件应按厂家推荐的防潮与回流焊工艺存储与处理，避免焊接热损伤和静电敏感问题。

如需原厂完整 Datasheet、引脚图或典型电路示例，请提供需求，我可协助检索与解读。