SM12T1G 瞬态抑制二极管产品概述

一、产品简介

SM12T1G 为 TECH PUBLIC（台舟电子）推出的一款 SOT-23 封装瞬态抑制二极管，专为快速脉冲与静电放电保护设计。该器件为双向（Bi-directional）结构，适用于信号线与电源线的过压瞬态抑制，能够在瞬间吸收高能脉冲，保护下游敏感器件。

二、主要特点

• 钳位电压（VC）：30 V（典型）
• 击穿电压（Vbr）：15 V（典型）
• 反向截止电压 Vrwm：12 V
• 峰值脉冲功率 Ppp：450 W（8/20 μs 波形）
• 峰值脉冲电流 Ipp：15 A（8/20 μs）
• 反向漏电流 Ir：≤100 nA
• 结电容 Cj：典型值 100 pF 或 40 pF（视测试条件/型号而定）
• 极性：双向
• 类型：ESD / Surge 抑制
• 防护等级：满足 IEC 61000-4-2（静电放电）、IEC 61000-4-4（电快速瞬变）、IEC 61000-4-5（雷击/浪涌）规范

三、典型应用

• USB、HDMI、LVDS、差分高速数据线的 ESD 保护
• 手机、平板、笔记本等消费电子接口保护
• 工业控制、通讯设备的接口与端口保护
• 电源线反向或瞬态抑制场合（双向保护更适合交流或双向信号）

四、封装与热管理

SOT-23 小封装便于高密度 PCB 布局，适合空间受限的设计。尽管单次脉冲能量吸收较高，长时间或重复大能量冲击仍需在 PCB 设计中考虑散热路径与串联阻抗，必要时配合阻尼元件或滤波器以延长保护寿命。

五、选型与使用建议

• 若需更低对信号影响，优先选择低结电容（40 pF）版本用于高速数据线。
• 在靠近接口处布置器件，保持走线短且阻抗可控，以获得最好保护效果。
• 对于电源或高能突波场合，可并联或级联更高能量的浪涌保护器件以分担能量。
• 关注工作电压 Vrwm 与系统正常电压的匹配，保证在正常工作下不触发击穿。

SM12T1G 以其高脉冲承受能力、双向保护与小型封装，是保护敏感接口和提高系统可靠性的经济选择。若需详细电气特性曲线、典型应用原理图或可靠性数据，请参考 TECH PUBLIC 器件数据手册。