SS210-E3/52T 产品概述

一、概述与关键参数

SS210-E3/52T 是 VISHAY（威世）家族的一款独立式肖特基整流二极管，封装为 SMB (DO-214AA)。其典型电气参数为：正向压降 Vf = 0.71 V（测试电流 1.5 A）、直流反向耐压 Vr = 100 V、额定整流电流 1.5 A、反向漏电流 Ir = 30 μA @ 100 V。该器件针对中等电流、高速整流场合提供低损耗、响应快的整流性能。

二、主要特点

• 低正向压降：在 1.5 A 条件下 Vf≈0.71 V，可显著降低功率损耗与发热。
• 低反向泄漏：在 100 V 时 Ir ≈30 μA，有利于提高空载/待机效率。
• 快速恢复与低结电容：肖特基结构适合开关电源与高频整流场合。
• SMB 封装（DO-214AA）：机械强度与散热性能平衡，便于自动贴装。
• 符合无铅与 RoHS 要求（E3 标识，具体请参照供应商说明）。

三、典型应用场景

• 开关电源（DC-DC 变换器）中的整流/续流二极管；
• 输出 OR-ing / 反向保护电路；
• 电池充放电管理与电源切换；
• 低压/高频整流、护波及钳位电路；
• 汽车电子、通信设备、电源模块等对效率和响应有要求的应用。

四、封装与安装建议

SMB（DO-214AA）为面贴独立封装，推荐在 PCB 上预留适当焊盘和散热金属走线以提升导热能力。实际布局时建议靠近热源放置，增加铜箔面积或过孔以辅助散热；焊接时遵循 VISHAY 建议的回流焊温度曲线，避免过热导致器件性能退化或封装应力。

五、选型与使用注意

• 反向漏电流会随温度显著上升，工作环境高温时需特别关注漏电与功耗。
• 若有高浪涌或短时大电流需求，请参考完整数据手册中的峰值冲击电流（IFSM）和热阻参数，必要时选用更高电流或更大封装器件。
• Vf 标注基于 1.5 A 测试，实际应用中应按工作电流校核损耗和散热设计。
• 关于包装标识：E3 一般表示无铅/符合 RoHS，/52T 常为卷带供货形式，具体包装数量与物理标识以供应商出货单为准。

欲获得更详尽的电气特性曲线、热阻与浪涌能力，请参阅 VISHAY 官方数据手册和产品说明文档，以便在设计中准确评估并保证长期可靠性。