IPB048N15N5 产品概述

一、产品简介

IPB048N15N5 是英飞凌（Infineon）出品的一款高压N沟道功率场效应管（MOSFET），封装为 TO-263-3（D2PAK）。该器件针对高电流、低导通损耗场合优化，适用于开关电源、同步整流、DC-DC 转换器与电机驱动等功率应用。

二、主要电气参数

• 漏源电压 Vdss：150 V
• 连续漏极电流 Id：120 A
• 导通电阻 RDS(on)：4.8 mΩ @ Vgs=10 V, Id=60 A
• 耗散功率 Pd：300 W（条件依赖封装与散热）
• 阈值电压 Vgs(th)：4.6 V
• 栅极电荷量 Qg：100 nC @ 10 V
• 输入电容 Ciss：7.8 nF @ 75 V
• 反向传输电容 Crss：60 pF @ 75 V
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +175 ℃

三、关键特性与优势

该器件在150V电压等级中提供极低的导通电阻（4.8 mΩ），在高电流传导时可显著降低导通损耗；高额定电流（120A）适合大功率传输场合。工作温度上限175℃为系统设计提供更宽裕的热余量。较低的 Crss 有利于抑制米勒效应，提高驱动稳定性。

四、驱动与开关考虑

Qg=100 nC 与 Ciss=7.8 nF 表明栅极驱动能量要求较大，推荐使用驱动电流充足的专用栅极驱动器，驱动电压通常采用 10–12 V 以保证低 RDS(on)。为控制开关损耗与振铃，可适当选择栅阻并配合阻尼或RC吸收电路；高速切换时需关注能量在开关瞬间的耗散。

五、热设计与封装建议

尽管标称 Pd=300 W，但实际能耗受PCB散热与环境限制。推荐在PCB使用宽导铜与多层散热层、通过热VIA连通散热地；栅极、源极走线尽量短且采用Kelvin源连接以减少测量与驱动误差。必要时在器件附近布置温度监测点以保证安全工作区（SOA）。

六、典型应用场景

适用于：高电流开关电源（SMPS）、同步整流、PFC/逆变器前端、DC-DC 降压转换、BLDC电机驱动与UPS系统等需要在150V等级下实现低导通损耗与高电流能力的场合。

七、选型与可靠性建议

在选型时除参考上述静态参数外，应评估系统开关频率对开关损耗与驱动功率的影响；若系统存在高能量浪涌或重复性脉冲，应结合器件的脉冲SOA及应用保护（TVS、RC钳位）来保证长期可靠性。封装热阻与PCB热设计对器件寿命影响显著，务必在原理样机中验证温升与散热方案。