BSC0923NDI 产品概述

一、概述

BSC0923NDI 是英飞凌推出的一款双通道 N 沟道功率 MOSFET，面向中低压、高电流开关应用。器件基于低导通电阻设计，兼顾开关速度与热耗散能力，适用于同步降压转换器、半桥驱动、负载开关和电源管理等场景。封装为 TISON-8-EP (6×5)，带裸露散热焊盘，便于 PCB 热管理。

二、主要参数

• 通道数：2 个 N 沟道
• 漏源耐压 Vdss：30 V
• 连续漏极电流 Id：40 A（单通道，依散热条件）
• 导通电阻 RDS(on)：3.8 mΩ @ Vgs=10 V，Id=20 A
• 阈值电压 Vgs(th)：约 2 V
• 总栅极电荷 Qg：10 nC @ 10 V
• 输入电容 Ciss：1.16 nF @ 15 V
• 反向传输电容 Crss：88 pF @ 15 V
• 耗散功率 Pd：2.5 W（基于规定散热条件）
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃

三、器件特点与设计意义

• 低 RDS(on) 意味着在高电流通态下导通损耗小，适合电源级和负载开关。
• 适度的栅极电荷（10 nC）在开关速度与驱动能量之间取得平衡，能在中高频率下表现良好，但在高频应用需考虑驱动损耗。
• 双通道封装便于在同一封装内实现并联或半桥布局，提高系统集成度并简化 PCB 布局。
• TISON-8-EP 的裸露散热焊盘利于热量传导到 PCB，需采取良好散热设计以发挥器件电流能力。

四、应用建议与注意事项

• 驱动电压建议使用 10 V 门极驱动以获得标称 RDS(on)。若使用低压门驱动，应评估导通电阻上升带来的损耗。
• 布局时尽量缩短源-漏回路的寄生电感，门极与驱动器之间可加合适的门极电阻以抑制振铃并控制开关应力。
• 充分利用封装散热焊盘并在 PCB 下方设计多层散热过孔或铜箔，以降低结壳温度。
• 在并联通道或多器件并联时需注意电流均分，必要时配合小差分阻抗或源阻实现均流。

五、选型与替代考量

若项目对开关频率极高或更低导通损耗有更苛刻要求，可考虑更低 RDS(on) 或更小 Qg 的器件；若要求更高 Vdss 或更强耗散，需选择更高耐压或更大 Pd 的型号。最终选型建议参考完整数据手册，核对脉冲极限、热阻和 SOA 等关键参数。

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