型号:

MCP6291IDBVR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOT-23-5
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
-
MCP6291IDBVR 产品实物图片
MCP6291IDBVR 一小时发货
描述:通用-放大器-1-电路-满摆幅-SOT-23-5
库存数量
库存:
157
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.22
3000+
3.1
产品参数
属性参数值
放大器数单路
最大电源宽度(Vdd-Vss)5.5V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)10MHz
输入失调电压(Vos)300uV
输入失调电压温漂(Vos TC)1.1uV/℃
压摆率(SR)6.5V/us
输入偏置电流(Ib)1pA
输入失调电流(Ios)1pA
噪声密度(eN)8.7nV/√Hz@10kHz
共模抑制比(CMRR)103dB
静态电流(Iq)600uA
输出电流50mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.4V~5.5V

MCP6291IDBVR 产品概述

基于您提供的参数,MCP6291IDBVR 为一款适用于便携与精密前端应用的单路轨到轨放大器,封装为 SOT-23-5,工作在单电源 2.4V–5.5V 范围内,并能承受最高电源差(Vdd−Vss)5.5V。器件在低功耗和高精度之间取得平衡,适合对偏置电流、失调和噪声有较高要求的系统。

一、器件简介

MCP6291IDBVR 为单通道运算放大器,支持轨到轨输入与轨到轨输出,最大输出驱动能力达 50mA,静态工作电流约 600µA。器件增益带宽积(GBP)为 10MHz,压摆率为 6.5V/µs,输入失调电压典型值 300µV、温漂 1.1µV/℃,输入偏置电流与失调电流均为 1pA 等级,噪声密度在 10kHz 时约 8.7nV/√Hz,CMRR 高达 103dB,可在 -40℃ 至 +125℃ 工况下稳定工作。厂家标识为 TI(德州仪器),封装 SOT-23-5。

二、主要性能亮点

  • 单路、轨到轨输入/输出,适合单电源系统
  • 工作电压 2.4V–5.5V(最大差分 5.5V)
  • 增益带宽积 10MHz,适合中等带宽放大应用
  • 低失调:Vos 300µV,Vos 温漂 1.1µV/℃,提高直流精度
  • 极低输入偏置/失调电流(1pA),适合高阻抗传感器接口
  • 低噪声:8.7nV/√Hz @10kHz
  • 压摆率 6.5V/µs,支持中等幅值快速信号
  • 输出驱动 50mA,可直接驱动小型负载
  • 工作温度范围宽(-40℃~+125℃),适合工业级应用

三、典型应用场景

  • 传感器前端(热电偶、电阻/电桥传感、光电检测)——低偏置电流与低失调有利于微小信号放大
  • ADC 驱动与采样保持缓冲器——轨到轨特性便于全量程利用
  • 便携式测量仪器与电池供电设备——宽供电电压与低功耗特性
  • 精密直流放大与信号调理(滤波器、积分器、差分放大等)
  • 小功率驱动与开关滤波电路(考虑到 50mA 输出能力)

四、设计与布局建议

  • 电源去耦:建议在靠近器件电源引脚处放置 0.1µF 陶瓷去耦电容,必要时并联 10µF 以改善低频稳定性。
  • PCB 布局:对高阻抗输入采用短回路、屏蔽或 guard 技术以减少表面泄漏电流,尤其在潮湿环境下有助于保持 pA 级偏置电流表现。
  • 驱动与负载:器件能提供 50mA 峰值输出,但在持续大电流工作时要关注功耗与封装热阻;若驱动容性负载,需评估闭环稳定性与可能的相位裕度下降。
  • 带宽与增益匹配:基于 GBP 10MHz,闭环增益为 10 时可获得约 1MHz 带宽;较高闭环增益会相应降低系统带宽,设计滤波/放大器时按需选择增益。
  • 共模与摆幅:轨到轨输入/输出提升了输入输出动态范围,但实际靠近电源轨时性能(例如线性度、驱动能力)可能受限,需留意数据手册中关于输出摆幅与负载的具体描述。

五、典型拓扑建议

  • 单端跟随器(Buffer):作为 ADC 前端缓冲,提供低失真和低偏置读取。
  • 非反相放大器:典型增益配置(R1、R2)用于放大传感器信号,注意闭环带宽与压摆率匹配。
  • 主动低通/高通滤波器:在音频或抗混叠前端使用,可利用中等 GBP 构建 100kHz 左右的滤波器。
  • 差分放大器/仪表前置:结合高输入阻抗与低偏置特性,可实现高精度差分测量(需合理匹配阻抗与滤波)。

六、小结

MCP6291IDBVR 在低失调、低偏置、高 CMRR 与轨到轨输出等方面表现优异,GBP 10MHz 和 6.5V/µs 的动态特性使其适合中等带宽的精密信号调理与便携式应用。设计时应重视 PCB 漏电管理、电源去耦与闭环稳定性,以充分发挥其在高阻抗传感与精密放大场合的优势。若需进一步优化特定应用(例如驱动大容性负载或极限温度下的漂移校准),建议结合器件完整数据手册进行详细评估。