型号:

B5818WS

品牌:YANGJIE(扬杰)
封装:SOD-323
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
B5818WS 产品实物图片
B5818WS 一小时发货
描述:肖特基二极管 875mV@3A 30V 40uA@30V 1A
库存数量
库存:
3954
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0937
3000+
0.0744
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)875mV@3A
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流1A
反向电流(Ir)40uA@30V
工作结温范围-65℃~+125℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)10A

B5818WS 产品概述

一、概述与主要参数

B5818WS 是扬杰(YANGJIE)推出的一款小封装肖特基二极管,面向空间受限且需低压降、高开关频率的整流和保护场景。器件的关键电气参数如下:

  • 正向压降(Vf):0.875 V @ 3 A
  • 直流反向耐压(Vr):30 V
  • 额定整流电流(Io):1 A(连续)
  • 反向漏电流(Ir):40 μA @ 30 V
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):10 A(短时脉冲)
  • 工作结温范围:-65 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:SOD-323(超小型贴片封装)

该器件在高频开关、低压降整流及反向保护应用中具有明显优势,适合便携式、通信、电源管理等领域的使用。

二、性能特点与优势

  • 低正向压降:在3 A 的条件下 Vf 为 0.875 V,相对于普通硅整流器能有效降低功耗和压降损耗,特别在低压大电流系统中有利于提升效率。
  • 低反向漏电:30 V 时 Ir 仅 40 μA,适用于要求低待机电流和高阻断性能的电源设计。
  • 快速响应:肖特基结构无明显恢复时间特性,适合高频整流与开关电源中的自由轮回和整流用途。
  • 小体积封装:SOD-323 占板面积小,便于高密度布局,适用于体积和重量受限的产品设计。
  • 宽温度范围:-65 ℃ 至 +125 ℃ 的工作结温,覆盖工业级应用温度需求。

三、热管理与封装注意事项

SOD-323 为超小型封装,热阻相对较高,连续1 A 以上的大电流工作时需注意散热设计:

  • PCB 设计建议:在焊盘下方和周围增加铜箔面积,必要时采用多层板与过孔连接散热层,通过热过孔向内层扩展铜箔。
  • 布局建议:尽量缩短与功率器件之间的走线,避免长走线引入额外电感和发热集中点。
  • 温度余量:在实际设计中应对结温进行估算并留有裕度,必要时对输出电流进行降额或采用并联方案以分散热负荷。

四、典型应用场景

  • DC-DC 降压整流:作为输出整流二极管使用,可降低整流损耗,提升转换效率(特别是在低压、较大电流输出时)。
  • 反向保护/防倒灌:用于电池供电或多电源切换场景,防止电源反向流动造成损坏。
  • 自由轮回二极管:在高频开关电路中作为快速回流路径,减少开关损耗及电磁干扰。
  • 检波与混频电路:肖特基的低压降和快速响应使其在射频/检测电路中作为检波二极管有优势。
  • 便携设备电源管理:手机、平板、智能穿戴等对体积和待机功耗敏感的设备。

五、使用建议与注意事项

  • 测试条件识别:产品参数(如 Vf、Ir、Ifsm)通常在特定测试条件下给出,设计时应参考完整的数据手册并按实际工作温度和波形修正。
  • 浪涌电流限幅:Ifsm 为短时的非重复峰值浪涌电流(10 A),不宜作为长期工作电流;实际电路若可能出现大浪涌,应增加限流或并联冗余设计。
  • 焊接工艺:遵循厂家推荐的回流温度曲线,避免超过封装和材料的耐温极限;SOD-323 对回流与手工焊接要注意时间和温度控制。
  • 极性识别:焊装时注意器件极性,SOD-323 外观极性标识方向需按数据手册确认,防止因装反导致电路损坏。

六、比较与替代方案

相较于同类小封装硅整流器,B5818WS 在低压降和开关性能上有明显优势;但若系统对极低 Vf(如 0.3~0.4 V)有更高要求,可考虑大封装或同步整流方案以获得更低导通损耗。对于需要更高工作电流或更低热阻的应用,应选择更大功率的封装或采取并联设计。

结论:B5818WS 在体积、效率和封装方面为便携式与高密度电源设计提供了平衡的解决方案。合理的 PCB 热设计与工作电流降额能显著提升器件可靠性与系统稳定性。请在最终设计中参照扬杰官方完整数据手册以获得详细的电气特性曲线与封装尺寸信息。