T1210-800G-TR 产品概述

一、产品简介

T1210-800G-TR 为 ST（意法半导体）出品的单芯片晶闸管（可控硅）模块，采用 D2PAK 表面贴装封装，适用于中等功率交流控制与开关应用。该器件设计用于在高达 800V 的阻断电压下工作，具有较低的门极触发电压与较小的触发电流，便于与各类驱动电路配合使用。后缀 “-TR” 表示以盘带（Tape & Reel）形式供货，适合自动贴片加工。

二、主要电气参数（要点）

• 断态峰值电压 Vdrm：800 V
• 通态峰值电压 Vtm：1.55 V（在额定通态条件下）
• 通态电流 It：12 A（持续通态参考值）
• 浪涌电流：120 A @ 50 Hz（单次或短时冲击能力）
• 门极触发电压 Vgt：1.3 V
• 门极触发电流 Igt：10 mA
• 保持电流 Ih：15 mA
• 门极平均耗散功率 PG(AV)：1 W
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +125 ℃

三、主要特性与优势

• 高阻断电压（800 V），适合高压工况的交流控制与保护场景。
• 低 Vgt 与低 Igt，门极驱动要求低，可由轻载驱动器或微控制器配合驱动电路完成触发。
• 较高的浪涌承受能力（120 A@50Hz），适合短时启动电流或容性/感性负载的冲击情形。
• D2PAK 封装兼顾散热与表贴组装效率，适合自动化生产与中等功率散热需求。

四、典型应用

• 灯光调光与交流电压调节（相位控制、触发电平控制）。
• 小型交流电机速度控制与软启动电路。
• 家电控制（如空调、洗衣机加热器、风扇）。
• 电源与整流器中的交流开关与保护电路。
• 工业加热与温控设备。

五、使用建议与注意事项

• 门极驱动：驱动电路应能提供不小于 Igt 的短时触发电流，并确保触发电平高于 Vgt；采用门极限流电阻和 RC 抑制网络可以抑制误触发与振铃。
• 散热管理：PG(AV)=1 W 指门极平均耗散，整体功率耗散和结温控制需通过适当散热器或 PCB 铜箔散热设计来实现，避免长期大电流下过热。
• 浪涌保护：尽管器件可承受短时 120 A 冲击，仍建议在系统中配合熔断器、压敏电阻或 RC 吸收网络以保护器件免受重复或更高能量冲击。
• 安装与焊接：D2PAK 为表贴封装，推荐按制造商焊接工艺曲线回流焊，注意焊盘、热盏与散热路径设计以降低热阻。
• 环境与寿命：工作温度范围为 -40 ℃ 至 +125 ℃，长期使用时需关注结温与热循环对可靠性的影响，必要时进行降额设计。

六、封装与订购信息

• 封装：D2PAK（表贴）
• 供货形式：TR（Tape & Reel），便于自动贴片与批量装配。

总结：T1210-800G-TR 是一款面向中等功率交流控制的晶闸管产品，特点为高阻断电压、低触发要求和良好短时浪涌能力，适合家电、工业控制与功率转换等多种应用场景。使用时需重视散热设计与浪涌保护，以确保长期可靠运行。