型号:

1N5817

品牌:ST(意法半导体)
封装:DO-41
批次:25+
包装:编带
重量:0.297g
其他:
1N5817 产品实物图片
1N5817 一小时发货
描述:肖特基二极管 750mV@3A 20V 500uA@20V 1A
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.241
2000+
0.217
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)750mV@3A
直流反向耐压(Vr)20V
整流电流1A
反向电流(Ir)500uA@20V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)25A

1N5817 产品概述

一、产品简介

1N5817 是一款常用的肖特基(Schottky)整流二极管,由意法半导体(ST)提供 DO-41 轴向引线封装版本。肖特基结构使其具备较低的正向压降和极快的恢复特性,适合在低压、大电流和快速开关的场景中做整流、续流和极性保护。根据您提供的基础参数,该型号在 20V 反向电压等级下表现稳健,适用于多种通用电源与保护电路。

二、主要电气参数

  • 正向压降(Vf):750 mV @ 3 A
    注:该数据表明在 3A 峰值或短时负载下的正向压降,大电流条件下有较明显的功耗产生。
  • 直流反向耐压(Vr):20 V
    适合用于 20V 及以下的直流系统整流或保护场景。
  • 反向电流(Ir):500 μA @ 20 V
    在温度升高时反向漏电流会增长,需注意高温环境下的漏电影响。
  • 整流电流:1 A(连续)
    建议在设计中按 1A 连续额定值及适当的散热措施使用。
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):25 A
    表明器件能承受短时浪涌或关机冲击,但不适合持续重复的冲击循环。

三、关键特性与优势

  • 低正向压降:在同等电流下比硅整流器有更低的压降,从而减少功耗和发热,提升效率。
  • 快速响应:肖特基结无少量恢复电荷,适合高频整流与快速开关应用。
  • 良好的浪涌承受能力:25A 的非重复峰值浪涌能力,能处理开机或偶发短时过流事件。
  • 封装稳健:DO-41 轴向封装便于手工装配与穿板焊接,适合原型与量产的通过孔装配。

四、典型应用场景

  • 开关电源(辅助整流、二次侧整流)
  • 反向极性保护(汽车电子、便携设备)
  • 电池充放电保护与二极管 OR-ing 电路
  • 低压大电流的整流与续流二极管(电机驱动、继电器抑制)
  • 信号保护与快速开关场合

五、封装、热管理与安装

  • 封装:DO-41 轴向玻璃/树脂封装,适用于穿孔安装与波峰/手工焊接工艺。
  • 热管理建议:尽管器件允许 1A 连续电流,为保证长期可靠性,应在电路板上提供足够的铜面积作为散热路径并避免过高环境温度。反向漏电流随结温上升,会在高温下显著增加,可能影响电路静态电流预算。
  • 焊接提示:遵循常规的通过孔焊接温度曲线,避免长时间高温暴露以保护封装和内部焊接。

六、选型与注意事项

  • 电压裕量:1N5817 直流耐压为 20V,设计时应留有裕度;若电路有瞬态高压或反向浪涌,建议选用更高 Vr 的型号(如 1N5818/1N5819 等更高耐压版本或其它更高 Vr 的肖特基)。
  • 温度对漏电的影响:在高温环境(例如汽车发动机舱或密闭电源柜)中,反向漏电可能超出预期,必要时增加散热或选择漏电更低的替代器件。
  • 连续电流与散热:若系统长期接近或超过 1A,应评估 PCB 散热、器件额定功耗及结温,必要时选用更大功率封装或并联处理(并联需考虑电流均衡)。
  • 浪涌能力:25A Ifsm 适合短时冲击,但不宜作为持续重复冲击的解决方案。

七、典型电路示例与使用建议

  • 反向保护:将 1N5817 作为串联保护二极管安装在电源输入线上,利用其低 Vf 减少压降损失。
  • 电源 OR-ing:在电源自动切换场合,可将多个 1N5817 用于二极管 OR-ing,以实现无缝供电切换。
  • 自由轮回路:在驱动感性负载时用作续流二极管,减少反向高压尖峰对开关元件的冲击,但需确认耐压与热耗能满足需求。

总结:1N5817(ST,DO-41)是一款适用于多种低压、大电流场景的肖特基整流二极管,特点为较低正向压降、快速响应和良好的短时浪涌能力。选型时应注意 20V 的电压限制、反向漏电随温升增加以及连续电流下的散热管理,必要时根据应用环境选择更高耐压或更低漏电的替代型号。