GRM188R61A225KE34D 产品概述

一、产品简介

GRM188R61A225KE34D 为村田（muRata）GRM系列多层陶瓷贴片电容（MLCC），规格为 2.2µF ±10%（K），额定电压 10V，介质类型 X5R，封装型号 0603（公制 1608）。该器件体积小、容量相对较大，适合移动终端、电源去耦与滤波等常见 SMT 应用。

二、主要电气与机械参数

• 容值：2.2µF ±10%
• 额定电压：10V DC
• 介质：X5R（-55°C 至 +85°C 温度范围内容量变化受限）
• 封装：0603（1608）贴片
• 特性概述：X5R 为 II 类陶瓷，具有较高的体积效率但会有温度漂移、偏置电压效应与随时间的老化现象；ESR 很低，适合去耦与瞬态抑制。

三、典型应用场景

• 电源去耦：用于 PMIC、LDO 和 DC-DC 转换器输出/输入端的稳压与去耦
• 储能与滤波：用于模拟前端和电源滤波器中提供中等频段能量缓冲
• 移动与便携设备：在空间受限的 PCB 上替代更大尺寸的电解电容或钽电容
• 混合信号系统：与小容量 C0G/NP0 电容并联，覆盖宽频带去耦需求

四、设计与选型建议

• DC 偏压效应：X5R 在施加直流电压时容量会下降，尤其是在高容量与小封装条件下，请参考厂商的“电压-容量”曲线并留有裕量。
• 高频去耦策略：2.2µF 适合中低频去耦，建议与 0.1µF 或更小的 NP0/C0G 电容并联以改善高频性能。
• 布局要点：尽量将器件靠近被去耦的电源引脚，缩短回流路径，使用足够的地/电源过孔以降低寄生阻抗。
• 温度与老化：X5R 会随温度及时间出现容量漂移，长期可靠性设计需考虑这一点，必要时选用稳容特性更好的介质或更大封装。

五、可靠性与焊接注意事项

• 机械应力敏感：陶瓷电容对焊接与 PCB 弯曲较敏感，焊盘设计与回流工艺应符合厂商推荐以减少裂纹风险。
• 回流工艺：遵循村田的回流温度曲线和焊接工艺规范，避免过热或反复高温循环。
• 包装与可供应性：通常以卷带（tape & reel）方式供应，便于自动贴片装配。

总体而言，GRM188R61A225KE34D 在尺寸、容量与成本之间取得平衡，适合对体积与去耦性能有较高要求的消费类与工业类电子产品。选型时须重点关注 DC 偏压、温度范围与长期老化特性，并按照厂商资料验证具体电气曲线以确保设计裕度。