型号:

LM2903M/TR

品牌:HGSEMI(华冠)
封装:SOP-8
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LM2903M/TR 产品实物图片
LM2903M/TR 一小时发货
描述:比较器 LM2903M/TR
库存数量
库存:
3767
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.194
2500+
0.17
产品参数
属性参数值
比较器数双路
输入失调电压(Vos)1mV
输入偏置电流(Ib)25nA
传播延迟(tpd)1.3us
输出模式MOS;DTL;TTL;CMOS;ECL
静态电流(Iq)400uA
工作温度-40℃~+125℃
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
单电源2V~36V
双电源(Vee ~ Vcc)1V~18V;-18V~-1V
输入失调电流(Ios)5nA
响应时间(tr)1.3us

LM2903M/TR 产品概述

LM2903M/TR 为双路电压比较器(品牌:HGSEMI / 华冠),面向工业级与通用电子应用,特点是宽电源电压范围、低静态电流与良好的输入性能,适用于电平检测、过欠压保护、脉冲整形等场景。封装为 SOP-8,TR 表示卷带盘装(Tape & Reel),便于贴片生产线使用。

一、主要特性

  • 双通道比较器设计,节省板级空间并便于双路检测应用。
  • 输入失调电压 (Vos):1 mV(典型),有助于提高精度并降低误动作。
  • 输入偏置电流 (Ib):25 nA,输入电流很小,适合高阻抗传感器接口。
  • 输入失调电流 (Ios):5 nA,保证两输入间匹配性好。
  • 静态工作电流 (Iq):约 400 μA(器件全体),适合低功耗应用。
  • 响应/传播延迟 (tr / tpd):约 1.3 μs,适合中等速度的开关与比较场景。
  • 输出兼容多种逻辑:可与 MOS、DTL、TTL、CMOS、ECL 等电平配合(采用开集电极/漏结构时需外接上拉)。
  • 宽电源范围:单电源 2 V ~ 36 V,双电源配置支持 ±1 V ~ ±18 V(器件允许的最大电源差 Vdd–Vss 为 36 V)。
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃,满足工业级温度要求。

二、封装与引脚

  • 标准 SOP-8 封装,适合自动贴装与回流焊工艺。
  • TR(Tape & Reel)包装形式,便于批量SMT生产与仓储管理。
  • 引脚排列与常见 LM2903 系列兼容,易于替换与设计迁移。

三、典型应用场景

  • 电压/电流阈值监测(欠压/过压保护、电池电量检测)
  • 零交叉检测与波形整形(整流器、功率开关控制)
  • 信号整形与比较(脉冲宽度检测、振荡器边沿检测)
  • 传感器信号放大前的阈值判断(温度、光电、霍尔等高阻抗传感器)
  • 工业控制与接口电路(与各种逻辑电平兼容)

四、使用建议与注意事项

  • 输出为开集电极/开漏结构时需外接合适的上拉电阻,上拉电压不得超过器件电源规格;常用上拉阻值范围 4.7 kΩ–100 kΩ,典型 10 kΩ。
  • 建议在电源端做去耦(例如 0.1 μF 陶瓷并联 10 μF 电解)以抑制瞬态和噪声,改善比较器响应稳定性。
  • 对于存在输入抖动的应用,可通过正反馈加少量迟滞(史密特触发方式)消除抖动,提高开关洁净度。
  • 输入电压应保持在器件规定的共模范围内,避免将输入电压推到超过电源轨导致内部结构损伤;必要时加入限流或钳位二极管。
  • 在高压或强电磁环境下注意隔离与接地布线,避免干扰引起误触发。

五、与同类器件比较与选型提示

LM2903M/TR 以其宽电源范围、低静态电流和工业温度等级适合多场合替换标准 LM2903 系列。选型时关注以下几点:比较器的输入失调与偏置电流是否满足精度要求、响应速度是否足以满足系统带宽、输出是否需要推挽驱动(若需,需选用带有输出驱动的比较器)以及封装与封装引脚兼容性。

总结:LM2903M/TR 是一款通用性强、可靠性高并适用于工业环境的双路比较器,适合在电源监测、传感器接口与逻辑电平检测等多种场景中使用。