BTC801N 产品概述

一、产品简介

BTC801N 是 BORN（伯恩半导体）推出的一款 SMD 气体放电管（GDT），封装为 1812（4.5mm × 3.2mm × 2.7mm）。器件为双端（2 极）结构，适用于需要高耐受瞬态过电压的直流/交流防护场合，具有低极间电容和较高的脉冲放电能力，能在工业和通信类系统中提供可靠的浪涌保护。

二、主要电气参数

• 极数：2
• 直流击穿电压 Vdc：800 V（±30%）
• 冲击击穿电压 Vimp：1.6 kV
• 脉冲放电电流：1 kA（短时峰值能力）
• 极间电容：1 pF（典型）
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 封装：1812（SMD）
  以上参数为典型/标称值，实际应用时请参考制造商详细数据手册和测量条件。

三、产品特性与优势

• 高电压耐受性：800 V 的直流耐受值适合中高压直流系统及工业场景使用。
• 强脉冲承受力：短时放电能力达 1 kA，能有效吸收外来雷击或开关冲击引起的能量峰值。
• 低寄生电容（1 pF）：对高速信号路径影响小，适用于需要保持信号完整性的保护点（如数据/通讯线）。
• 紧凑封装：1812 贴片体积小，方便在 PCB 上靠近被保护端口布局，降低回路电感。
• 宽温度范围：-40~+85 ℃，可满足户外和工业级环境要求。

四、典型应用场景

• 电源系统与直流母线过压防护（如光伏、逆变器、储能系统）
• 通信接口和数据线保护（主/从线、以太网、SFP 插口等）
• 工业控制与仪表输入端口的雷击与浪涌防护
• 配合其他防护元件（TVS、MOV）构建多级浪涌防护方案

五、PCB 布局与安装建议

• 尽量将 BTC801N 靠近需保护的输入端或连接器放置，缩短高电流冲击回路，降低串联电感。
• 保持与敏感信号地或信号线的合理间距，利用短、粗的铜箔作为接流路径。
• GDT 放电后可能产生跟随电流，建议在保护回路中配合限流器件（熔丝、PTC 或合适阻抗）以切断长期过流或防止设备损坏。
• 采用标准 1812 SMD 贴片工艺安装，遵循制造商回流焊温度曲线与储存条件，避免超温或潮湿作业。

六、选型与注意事项

• 直流工作电压应低于 Vdc，且考虑 ±30% 的公差及环境漂移，建议预留合适余量。
• 若系统需承受高能量雷击（长期或多次冲击），考虑结合更高能量吸收元件（如 MOV）或提高器件额定放电能力。
• 低电容特性适合高速信号保护，但仍需评估对特定协议（如高速以太网、射频信号）的实际影响。
• 购买与使用时请向 BORN 获取完整技术规格书、冲击波形条件（如 8/20 μs）、可靠性与合规性证明，以满足特定行业认证需求。

七、包装与订购

BTC801N 为 1812 SMD 封装，适用于标准贴片生产线。订购时请确认所需包装带卷（reel）规格、批次与出厂测试报告，以便于生产对接与质量追溯。

总结：BTC801N 凭借 800V 的耐受电压、1 kA 的短时放电能力与低寄生电容特性，是一款适合中高压与高速数据接口场合的紧凑型气体放电管，合理的 PCB 布局与与限流配合可显著提升系统的浪涌防护性能。若需更详细的电气曲线或环境试验数据，请联系伯恩半导体获取完整资料。