LL101C-GS08 — VISHAY 迷你MELF肖特基二极管 产品概述

一、产品简介

LL101C-GS08 是 VISHAY（威世）出品的一款独立式肖特基二极管，采用 MiniMELF 小型玻璃封装，面向低电流、低压降和高开关速度的应用场景。其典型正向压降为 0.39V（在 If = 1mA），反向耐压达 40V，直流整流电流额定 30mA，反向漏电流在 30V 时为 200nA，非重复峰值浪涌电流 Ifsm 可达 2A。该器件在要求低功耗、低压降和微功率整流或保护电路中具有显著优势。

二、主要电气参数（关键点）

• 正向压降 Vf：390mV @ If = 1mA（低压降有利于微弱信号和节能场合）
• 直流反向耐压 Vr：40V（适合 5V/12V 等常见低压系统）
• 整流电流 If (Io)：30mA（连续工作电流限值）
• 反向漏电流 Ir：200nA @ Vr = 30V（低漏电适合待机与高阻抗节点）
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：2A（短时浪涌能力，需关注热冲击）

示例损耗计算：在 If = 1mA 时，静态功耗 P = Vf × If ≈ 0.39mW；在 Vr = 30V 时，漏电功耗 P ≈ 30V × 200nA = 6µW，能效开销极小。

三、封装与机械特性

• 封装：MiniMELF（玻璃圆柱型），适合高密度设计且热滞后小
• 优点：封装体积小、热阻相对较低、对高频特性友好
• 注意：MELF 封装对贴装方式要求较高，需使用适配的贴装工具或真空吸笔，波峰/回流焊工艺需遵循厂商工艺曲线以避免滚动和热应力损伤。

四、典型应用场景

• 低电流整流与电源回路（袖珍型电源、传感器供电）
• 反向/极性保护（防止反接损坏低功耗电路）
• 信号钳位与防浪涌保护（高速信号链的小电流保护）
• 电池供电设备与待机电路（低漏电延长电池寿命）
• 通信与仪表中的低电压降整流

五、设计与布局建议

• 若长期连续工作接近额定 30mA，应评估温升并保证适当散热与间距。
• 在 PCB 布局上尽量缩短正、负极走线以降低寄生电感与接触电阻；对高频信号路径注意旁路电容的配合。
• 对于突发浪涌使用该器件时，配合限流阻抗或熔断器以防 Ifsm 条件下的热损坏。
• 封装为 MiniMELF，贴片时建议采用专用吸取头或带卷装（tape & reel）供料，回流焊温度曲线按 VISHAY 数据手册执行。

六、可靠性与注意事项

• 器件适合长期低电流使用，但若承受频繁高幅值浪涌需关注封装热疲劳与焊点可靠性。
• 在高温或高偏压条件下，反向漏电可能随温度上升显著增加，关键设计应参照完整数据手册中的温度特性曲线。
• 选型时应核对实际应用的最大工作电压与电流余量，避免长期工作在极限参数下。

七、总结与选型建议

LL101C-GS08 以其 0.39V 的低正向压降、40V 的耐压和 200nA 的低漏电特性，适合对能耗、信号完整性和体积有严格要求的便携及精密电子设备。若您的设计为微安至数十毫安级别的电流，并需低压降/低漏电保护，该器件是一个经济且性能均衡的选择。欲获得完整的热特性、最大额定值和回流焊工艺参数，请参考 VISHAY 官方数据手册或联系授权分销商。