YJD45G10B 产品概述

一、产品简介

YJD45G10B 为扬杰（YANGJIE）出品的一款 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 Vdss=100V、连续漏极电流 Id=45A，封装为 TO-252（DPAK）。器件适用于中高压开关、降压转换器和电机驱动等需要兼顾导通损耗与开关性能的应用场景。

二、主要参数一览

• Vdss：100V
• 连续 Id：45A
• 导通电阻 RDS(on)：17mΩ @ Vgs=10V, Id=20A
• 最大耗散功率 Pd：28.8W
• 阈值电压 Vgs(th)：4V
• 总栅极电荷 Qg：16nC @ Vgs=10V
• 输入电容 Ciss：1.135nF @ 50V；输出 Coss：399pF；反向传输 Crss：18pF
• 工作温度：-55°C ～ +150°C
• 封装：TO-252（DPAK）

三、电气性能要点

在 Vgs=10V 驱动下，RDS(on)=17mΩ（在 Id=20A 条件下测得），此时导通损耗 Pcon≈I^2·RDS≈20^2×0.017≈6.8W。若在 45A 下连续导通，理论导通损耗约为 45^2×0.017≈34.4W，已超过器件标称 Pd（28.8W），因此 45A 通常仅在受限脉冲或充分散热条件下使用。

四、开关驱动与热管理

• 驱动：器件在 10V 门电压下导通性能最佳；门限约 4V，低电压驱动会显著提升 RDS(on)。Qg=16nC 表明需要中等能力的门极驱动器以保证快速开关，避免过大开关损耗。
• 开关特性：Crss=18pF 表明 Miller 效应可控，但在高 dv/dt 场合仍需关注漏源电压翻转和驱动布局。
• 散热：TO-252 为贴片功率封装，Pd=28.8W 为规范条件下的额定耗散。建议采用大面积 PCB 铜箔、过孔散热、多层板并结合必要的散热器或底板以保证器件结温在安全范围内。

五、典型应用

• 同步整流与降压转换器
• 开关电源(SMPS)主开关或同步整流管
• 电机驱动低侧或高频脉冲场合（需注意驱动和散热）
• 中低功率逆变器与电池管理系统

六、使用注意事项

• 确认工作点时同时考虑导通损耗与开关损耗，并以结温不超过规格为准。45A 连续工作需特殊散热措施或采用并联方案。
• 布局上门极、漏极回流路径应尽量短且宽，减小寄生电感；门极驱动回路应加并联电阻与吸收元件以抑制振铃。
• 存储与焊接遵循封装热规程，避免超出温度限制导致可靠性下降。

综上，YJD45G10B 在 100V 电压等级下提供了较低的 RDS(on) 与适中的开关特性，适用于对导通损耗和开关速度有平衡要求的中功率场合。合理的驱动和散热设计是发挥其性能的关键。