BZT52C18Q 产品概述

一、主要参数与性能

• 稳压值（标称）：18 V（规格范围 16.8 V ～ 19.1 V）
• 工作结温范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 反向电流 Ir：100 nA @ 12.6 V（说明在该电压条件下泄漏电流极小）
• 耗散功率 Pd：500 mW（器件允许的最大耗散，需结合热设计）
• 阻抗 Zzt：45 Ω（小信号动态阻抗，影响稳压精度和负载响应）
• 品牌/封装：YANGJIE（扬杰），SOD-123 封装

二、产品特点

• 标称电压 18 V，适合中高电压基准或钳位场合。
• 极低的反向泄漏（100 nA 级），适合低静态电流的系统。
• 中等耗散能力（500 mW），在小体积封装下提供稳定的稳压性能。
• 动态阻抗 45 Ω，表明在小到中等电流变化下有较好的稳压能力。
• 宽温区间（-55 ℃～+150 ℃），适用于工业级或汽车级环境（需结合具体认证与可靠性数据确认）。

三、典型应用场景

• 作为稳压/基准源用于模拟电路偏置或参考电压。
• 过压保护或电压钳位，用于输入滤波后保护敏感器件。
• 电源管理中用于电压限幅、稳压或简单的线性参考。
• 低功耗与电池供电设备中，用于保持电路工作点稳定。

四、使用建议与电路设计

• 常见使用方式为反向工作（作为齐纳二极管），需串联限流电阻 R：R = (Vin - Vz) / Iz。
  例如：若 Vin = 24 V，Vz = 18 V，选定 Iz = 5 mA，则 R = (24−18)/5mA = 1.2 kΩ；二极管自身耗散 Pd_diode = Vz × Iz = 18 V × 5 mA = 90 mW（低于 500 mW）。
• 设计时应使二极管结温不超过 +150 ℃，在高环境温度或高功耗工况下需降额或增加散热铜箔。
• 动态阻抗较高时，若需更精密稳压，应在设计中保持稳定的测试工作点或并联低阻抗取样电路以提高负载响应。
• 注意封装焊接与回流曲线，避免长时间高温引起器件应力；存储和装配按厂商推荐进行。

五、封装与可靠性注意事项

• SOD-123 为小型表贴封装，适合自动贴装与高密度 PCB。
• 由于封装体积小，热阻相对较高，需要通过 PCB 铜箔、散热面积或分流电阻来改善热管理。
• 出于可靠性考虑，建议查阅厂家完整数据手册以获得温升、热阻及寿命/湿度等级等具体参数。

六、选型与采购建议

• 在最终选型前，请获取 YANGJIE 的完整数据手册，确认测试条件（如 Zzt 测试电流、Ir 的测试电压说明）与可靠性认证（若为汽车或工业级应用）。
• 比较同类 18 V 齐纳器件时关注耗散能力、反向泄漏、动态阻抗与封装热性能，以匹配目标应用的功耗与精度要求。

如需，我可以基于您的输入电压、负载电流与工作环境，帮您做更具体的电阻选型与散热评估。