SMBJ45CA CV — 产品概述

SMBJ45CA CV 是晶导微电子推出的一款高能量瞬态电压抑制器（TVS），采用SMB封装，面向电源轨和线路级浪涌、雷击及电瞬态干扰的抑制保护。该器件在45V反向截止电压等级上提供稳健的浪涌吸收能力与较低的夹断电压，适用于工业、通信和一般电子设备的浪涌防护场景。

一、主要规格一览

• 反向工作电压（Vrwm）：45 V
• 击穿电压（典型）：55.3 V
• 钳位电压（Ipp条件）：72.7 V
• 峰值脉冲电流（Ipp，10/1000 μs）：8.3 A
• 峰值脉冲功率（Ppp，10/1000 μs）：600 W
• 反向漏电流（Ir）：1 μA（典型条件下）
• 结电容（Cj）：390 pF（典型值）
• 工作温度范围：-65 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SMB（表面贴装）
• 类型：TVS 二极管
• 品牌：晶导微电子

二、核心特性与优势

• 高浪涌吸收能力：在标准10/1000 μs冲击波形下，可承受8.3 A/600 W 的脉冲能量，能够有效吸收来自雷击或开关突变的高能瞬态。
• 明确的夹断性能：在规定脉冲电流下的钳位电压为72.7 V，能把过电压限制在设备可承受范围内，降低后端元器件受损风险。
• 宽温工作：-65 ℃ 到 +150 ℃ 的工作温度适应严苛工业环境和高温应用场景。
• 低漏电流：典型反向漏电1 μA，有利于低功耗系统和不影响偏置电路的工作。
• SMB 封装：便于表面贴装生产与散热处理，适合批量制造的 PCB 布局。

三、典型应用场景

• 电源线路保护：45 V 等级的直流供电线路（如48 V 通信电源、工业DC总线）防雷击、浪涌保护。
• 模拟/数字电路保护：电路板电源输入端、DC-DC 转换器输入、继电器驱动电源保护等。
• 通信与基站设备：对直流供电和控制信号提供瞬态抑制，增强系统可靠性。
• 工业控制与仪表：用于抗干扰和保护敏感控制模块免受高压瞬态冲击。
  注意：若用于高速数据线或高频信号路径时，应考虑结电容（390 pF）对信号完整性的影响。

四、封装与PCB布局建议

• SMB 表面贴装，建议遵循制造商提供的推荐焊盘与过孔布局，保证良好焊接与热散能力。
• 浪涌流回流路径应尽可能短、宽，避免在夹断时造成过多寄生电感，提高保护效率。
• 对于高能量脉冲，建议在TVS附近设置大量铜箔或金属填充以帮助热扩散，并使用多点焊接或过孔将热量导入底层平面。
• 将TVS安放于靠近被保护端口的边缘，减少走线长度与串扰风险。

五、选型与设计注意事项

• 确定系统工作电压：Vrwm 45 V 适合近似 48 V 工况，但若系统实际稳压值较高应留有裕量；否则选用更高 Vrwm 等级。
• 考虑钳位电压：72.7 V 的钳位水平须低于后端敏感元件的承受电压（含安全裕量）。
• 脉冲波形与能量：参数基于10/1000 μs 波形，若面对短脉冲（如8/20 μs）或长能量脉冲请参考相应测试数据或选择更高功率等级器件。
• 结电容影响：390 pF 属较高结电容，可能影响高速信号（如USB、以太网）或精密模拟回路，必要时考虑低容型TVS或将保护器件放置于不直接影响信号路径的位置。
• 温升与热管理：在多次大能量冲击或长时间工作下会产生热量，需评估温升并保证器件工作温度不超限。

六、可靠性与使用提示

• 在焊接时遵循SMB封装的回流温度曲线，避免过热导致性能退化。
• 存储与组装过程中注意防潮，推荐按制造商的存储和MSL（如适用）规范处理。
• 在设计验证阶段通过实际浪涌测试（10/1000 μs 或 8/20 μs）和系统级EMC/ESD测试，确认TVS在目标应用中表现满足要求。

七、结论

SMBJ45CA CV 在45 V 工作等级下提供600 W 峰值脉冲功率与72.7 V 的钳位电压，适合对48 V 类电源与工业通信线路进行高能瞬态抑制。其宽温特性、低漏电流和SMB封装使其适用于严苛环境与量产PCB设计。选择时应综合考虑系统工作电压、脉冲特性与结电容对信号的影响，必要时在系统级进行验证测试以保证长期可靠性。

如需进一步的参数曲线（V-I 特性、钳位随电流变化曲线、封装尺寸图和推荐焊盘尺寸）或样片与订购信息，可提供具体需求，我可以为您整理更详尽的资料。