DS751-40EAA02 产品概述

一、产品简介

DS751-40EAA02 是江苏长电（CJ）旗下的一款独立式肖特基二极管，面向低电流、低压差的整流与保护场景。该器件在1 mA 的工作电流下，具有典型正向压降仅约 370 mV 的优异特性，同时具备 40 V 的直流反向耐压和 30 mA 的额定整流电流，适合用于便携终端、低功耗传感器、接口保护等应用。器件采用超小 DFNWB0.6×0.3-2L 封装，便于在空间受限的 PCB 设计中实现高密度布局。

二、主要特性

• 器件类型：肖特基二极管，独立式（单粒装）
• 正向压降：Vf ≈ 370 mV @ IF = 1 mA（低压降，有利于降低功率损耗）
• 反向耐压：Vr = 40 V（最大直流反向耐压）
• 额定整流电流：IF(AV) = 30 mA（适合小电流整流和信号整流）
• 反向电流：Ir = 500 nA @ VR = 30 V（低漏电流）
• 峰值浪涌电流：Ifsm = 200 mA（单次、非重复浪涌）
• 工作结温范围：-40 ℃ ~ +125 ℃
• 封装：DFNWB0.6×0.3-2L（超小型表面贴装）

三、典型电气参数与行为要点

• 低正向压降（370 mV@1 mA）：在微安到数十毫安的工作区间内，肖特基势垒较低，因而导通损耗小，适合电池供电装置以延长续航。
• 低反向漏电（500 nA@30 V）：在中低电压环境下，漏电小，有利于节能与电平保持；需注意漏电随温度上升显著增加。
• 相对较小的额定电流（30 mA）：器件适用于信号整流、低功耗电源、接口保护等场合，不适合替代大电流整流或功率级开关二极管。
• 峰值浪涌能力有限（200 mA 单次）：对浪涌或冲击电流有一定容忍，但频繁高冲击场合应选用更高 Ifsm 的器件或增加限流保护。

四、封装与引脚说明

• 封装类型：DFNWB0.6×0.3-2L，超小体积便于高密度布板。
• 引脚数：两引脚（阳极/阴极）。在 PCB 布局时建议标注阴极方向并尽量缩短与电源或信号路径的回流路径以降低寄生阻抗和串扰。
• 热散能力：由于封装尺寸极小，器件的热释放主要依赖于 PCB 铜箔和焊盘设计。对于连续工作电流接近额定值的场景，应优化焊盘面积和热铜层以改善散热。

五、典型应用场景

• 便携式电池供电设备中的低压差整流与反向保护
• USB/数据接口的反向电压保护或整流（在低至中等电流场景）
• 低功耗传感器、物联网终端的电源路径选择与肖特基整流
• 信号检波、低电平射频/脉冲整流
• 电平移位与钳位保护电路（保护高阻抗输入或防止电压回灌）

六、设计与使用建议

• 布局建议：为降低寄生电感与电阻，阳极与阴极的布线应尽量短且宽；焊盘和下层铜箔应充分利用以提升散热能力；若有持续高温工作要求，可在焊盘周围增加散热铜网或通孔。
• 温度影响：反向漏电随结温上升显著增大，应用设计时需留有裕量，尤其在高温环境（靠近 +125 ℃）下注意漏电对系统功耗和电平的影响。
• 浪涌保护：Ifsm 为 200 mA（非重复峰值），对于可能出现较大浪涌的场合（如电源插拔、电机启动等）建议并联限流元件或选用具有更高峰值能力的器件。
• 焊接与可靠性：建议按常规 SMD 无铅回流工艺进行焊接，避免长时间在高温下暴露；存储与运输时防潮防尘，按照厂家建议的包装和回流曲线进行操作以保证焊接可靠性。
• 选型提示：若应用需要更高工作电流、更高耐压或更低漏电，应比较同类肖特基产品参数或考虑小型功率二极管。

七、结论

DS751-40EAA02 以其低正向压降、低漏电流和超小 DFN 封装，适合在空间与功耗受限的电子产品中做低电流整流、隔离及保护使用。合理的 PCB 热设计与对温度、浪涌条件的评估，将有助于在实际系统中发挥该器件的最佳性能。若需进一步的器件曲线（如正向 V–I 曲线随温度变化、反向漏电随温度的曲线）或封装焊盘建议图，请参考厂家器件数据手册或联系 CJ 获取完整资料。