CJ502K 产品概述

一、主要参数

CJ502K 为 CJ（江苏长电/长晶）出品的 P 沟道小信号 MOSFET，单只器件，关键参数如下：

• 漏源耐压 Vdss：50 V
• 连续漏极电流 Id：180 mA
• 导通电阻 RDS(on)：8 Ω（在 VGS=10 V、ID=0.1 A 条件下测得，P 沟道器件时 VGS 为源相对栅的电压，通常为负值）
• 功耗 Pd：420 mW
• 阈值电压 VGS(th)：2 V（典型）
• 输入电容 Ciss：30 pF，反向传输电容 Crss：5 pF
• 工作结温范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：SOT-23（表面贴装）

二、产品特点与优势

CJ502K 属于低功耗、小封装的 P 沟道 MOSFET，特点为：

• 低输入、电容小（Ciss 约 30 pF），利于高速小信号切换与低驱动能耗；
• 50 V 耐压适合中低电压系统的高侧开关或保护电路；
• SOT-23 封装节省 PCB 面积，适合便携、消费类和工业控制中的空间受限用途；
• 宽工作温度范围，可靠性好，适应环境要求较高的场合。

三、电气性能要点

• 阈值电压约 2 V，表示在 VGS 达到该值附近器件开始导通；若要求低压充分导通，应提供更大的栅极电压（对 P 沟道而言为更负的 VGS）；
• 标称 RDS(on) 在 VGS=10 V 时为 8 Ω，但在实际应用中随 VGS、温度和电流不同会显著变化，低栅压下导通电阻会更高；
• Ciss/Crss 较小，开关损耗低，适用于频率不太高的小信号开关场景。

四、热设计与散热

• 器件 Pd=420 mW，为封装在 SOT-23 条件下的最大耗散，应保证实际功耗低于该值并预留安全裕度；
• 在最大工作电流 180 mA、若按 RDS(on)=8 Ω 估算，最大导通功耗约 I^2·R ≈ 0.26 W，接近但仍低于额定 Pd；实际环境和结温升会使 RDS(on) 上升，建议在 PCB 上采用较大铜箔面积、加散热焊盘以降低结温。

五、驱动与开关应用要点

• 作为 P 沟道 MOSFET，常用于高侧开关或反相保护：要“打开”器件需使栅极电位低于源极（VGS 为负）；关断则将栅极拉到源极电位；
• 由于 RDS(on) 在低驱动电压下会较高，若需要较小导通损耗应保证足够的 VGS 摆幅（尽可能接近厂家测量条件）；
• 低 Ciss 有利于快速切换，但在存在寄生电容和长走线时仍需适当的栅极阻尼以避免振铃。

六、PCB 布局建议

• SOT-23 引脚及焊盘请参考厂家封装与引脚定义；建议加大器件周围接地铜箔以利散热；
• 栅极驱动走线短且靠近驱动源，避免与高电流回路并行以减少干扰；
• 在高侧开关配置时，注意源极与负载回路的布局，必要时在输入端并联退耦电容以抑制瞬态电压。

七、封装与使用注意事项

• SOT-23 小封装适合自动贴装；在回流焊工艺中注意温度曲线以免损伤器件；
• 储存与使用避免静电击穿，使用常规静电防护；对 P 沟道器件测试时注意极性和测量参考点（VGS 极性）。

八、典型应用场景

• 移动设备或便携电源中的高侧负载开关；
• 反向保护、电池管理中作为反接保护或旁路开关；
• 小信号开关、逻辑电平转换和低功耗控制电路中替代继电器或机械开关。

总结：CJ502K 为适用于 50 V 级小电流高侧控制与保护的 P 沟道 MOSFET，适配空间受限、对切换速度和驱动功耗有要求的应用场合。选型时请结合实际驱动电压、最大工作电流与散热条件细化评估。若需完整引脚定义和更多典型曲线，请参照 CJ 官方数据手册。