型号:

FMMT495

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
FMMT495 产品实物图片
FMMT495 一小时发货
描述:三极管(BJT) FMMT495 495
库存数量
库存:
4618
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.13284
3000+
0.11772
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)150V
耗散功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE)100@1mA,10V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN

FMMT495 三极管产品概述

一、产品简介

FMMT495 是江苏长电(CJ/长晶)生产的一款 NPN 小信号/小功率晶体管,采用 SOT-23 封装,面向通用放大与开关应用。器件在高电压耐受性与较高电流能力之间取得均衡,适用于需要 150V 级别耐压同时又要求较快响应的电路。

二、主要电气参数

  • 晶体管类型:NPN(双极性晶体管,BJT)
  • 直流电流增益 hFE:100(典型值,测量条件 1 mA、VCE=10 V)
  • 集电极电流 Ic:最大 1 A(瞬态或在适当散热条件下)
  • 集射极击穿电压 VCEo:150 V(最大)
  • 射基极击穿电压 VEbo:5 V(最大)
  • 集电极截止电流 Icbo:100 nA(典型/最大值,低泄漏特性)
  • 特征频率 fT:100 MHz(典型,适合 VHF 带宽的放大)
  • 耗散功率 Pd:250 mW(封装散热限制,参考环境与 PCB 散热)
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):约 300 mV(典型,具体测试条件见厂方数据表,涉及不同 Ic/Ib 条件)

三、性能特点

  • 高耐压(VCEo=150 V),适用于高电压信号路径或电源抑制场合。
  • 低漏电流(Icbo≈100 nA),利于低功耗或高阻抗输入电路的稳定性。
  • 中等到高增益(hFE≈100@1 mA)使其在小信号放大时具有良好线性和增益裕量。
  • fT≈100 MHz,支持小信号放大与较快开关速度,适用于音频以上及射频前端的部分应用。
  • SOT-23 小封装,便于表面贴装、体积受限电路板布局。

四、典型应用

  • 低/中电压小信号放大器(前置放大、音频差分放大等)。
  • 通用开关:驱动小继电器、指示 LED、逻辑电平转换(在额定电流与散热允许范围内)。
  • 电源管理中的基准/保护电路、高压断路/限流辅助器件。
  • 高频率要求不高但需一定带宽的通信电路、混合信号前端。

五、使用与热管理建议

  • Pd=250 mW 为封装在标准环境下的最大耗散,实际应用应考虑散热降额(随环境温度升高需线性降额至零)。建议在 PCB 上设计足够的铜箔散热和热过孔以提高散热能力。
  • 若在靠近最大 Ic(接近 1 A)工作,必须确保短脉冲或良好散热环境;长期连续大电流时应选择更大功耗封装或并联设计。
  • 高频应用时注意寄生电容与走线阻抗,合理布局可发挥 fT 的优势。
  • 由于 VEbo=5 V,应避免基极对发射极施加过高逆向电压以防击穿。

六、封装与订货信息

  • 封装形式:SOT-23(表面贴装)
  • 品牌/制造商:CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号:FMMT495
  • 订购时请参阅厂方完整规格书以确认引脚定义与测试条件,SOT-23 引脚排列可能因厂家版本不同。

七、注意事项

  • 本概述基于常见典型参数与用户提供的核心规格,具体电气特性(如 VCE(sat) 在不同 Ic/Ib 条件下、热阻 RθJA、极限结温等)请以 CJ 官方数据手册为准并在设计前进行仿真与样片测试。
  • 在高压或高频敏感电路中使用时,建议评估开关瞬态、击穿余量与电磁兼容影响,必要时采取抑制与滤波措施。

如需基于 FMMT495 的偏置电路例子、开关/放大器参考设计,或与竞品参数对比,我可以提供更详细的设计建议与计算参考。