PESD2IVN24-TR-ES 产品概述

PESD2IVN24-TR-ES 是由 ElecSuper（静芯微）推出的一款双路双向瞬态电压抑制器（ESD 保护器件），采用紧凑的 SOT-23 封装，专为接口和信号线的静电放电及瞬态过电压保护设计。器件在满足 IEC 61000-4-2 标准的同时，兼顾低漏电与较高的峰值吸收能力，适用于多种消费类、工业与通信类电子产品的接口保护。

一、主要特点与优势

• 双路双向保护：两路独立通道，可同时保护两条差分或单端信号线，适用于差分接口或多通道设计。
• 工作耐受电压：反向截止电压（Vrwm）24V，适配常见 24V 以内工作电压的接口与电源侧保护。
• 强力瞬态抑制能力：在标准 8/20 μs 脉冲下，峰值脉冲功率 Ppp 为 600W，峰值脉冲电流 Ipp 为 8A，能有效吸收由静电或开关瞬态引起的高能脉冲。
• 低漏电：典型反向电流 Ir 为 1 μA，在待机或低功耗场景下对系统影响小。
• 极低结电容影响：单路典型结电容 Cj 为 24 pF（测试条件下），对中低速信号线影响有限，适合多数接口保护需求。
• 紧凑封装：SOT-23 小体积，便于高密度 PCB 设计与自动化贴装。
• 行业防护等级：满足 IEC 61000-4-2 静电放电防护要求，提升系统抗扰度与可靠性。

二、电气参数摘要（关键值）

• 极性：双向
• 反向截止电压 Vrwm：24 V
• 钳位电压（典型）：48 V（测试条件下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：8 A
• 峰值脉冲功率 Ppp：600 W @ 8/20 μs
• 击穿电压：26.5 V
• 反向电流 Ir：1 μA
• 通道数：双路
• 结电容 Cj（典型）：24 pF
• 防护等级：IEC 61000-4-2
• 封装：SOT-23
• 品牌：ElecSuper（静芯微）
• 器件类型：ESD 抑制二极管

三、典型应用场景

• USB、串口、PWM、CAN 等 I/O 接口的静电与瞬态保护（当接口工作电压 ≤ 24V 时推荐）。
• 工业控制与工业以太网中对外部连线的过电压防护（需根据系统带宽评估结电容影响）。
• 通讯设备的差分信号或多通道输入保护。
• 消费类电子（显示器接口、遥控端口）以及其他需兼顾空间与防护性能的场合。

四、布局与使用建议

• 布局：器件应尽量靠近受保护的接口或连接器端放置，走线尽量短且宽，减少串联电感与阻抗。
• 地线处理：对地型保护时，应保证本地接地良好并尽量减少地环路；在多层板上，保护器附近应有连续的接地平面，并在器件附近布置过孔连接至地平面。
• 焊盘与封装：推荐遵循 SOT-23 标准焊盘与回流工艺，-TR 表示卷带包装，便于自动化贴装。请参考器件数据手册的焊盘设计建议以获得最佳焊接可靠性。
• 信号完整性：结电容 24 pF 对超高速（如 USB3.0、HDMI）可能造成一定影响，使用前务必评估系统带宽与通带失真；对高频敏感线路可考虑更低电容的替代器件。

五、可靠性与合规

PESD2IVN24-TR-ES 按照行业常见 ESD 抗扰度设计，并满足 IEC 61000-4-2 静电放电要求。器件典型漏电小、响应快、可在多次脉冲下保持稳定保护性能。具体的寿命、工作温度范围、焊接热循环与返修建议请参照 ElecSuper 提供的器件规格书与可靠性报告。

六、选型与订购说明

• 型号：PESD2IVN24-TR-ES（TR 通常表示带卷带包装，适合贴片生产线）。
• 在选型时请确认系统最大工作电压不超过 Vrwm（24 V），并根据接口速率评估 24 pF 结电容对信号的影响。
• 若需 RoHS、AEC 或其它认证信息，请向供应商或厂商技术支持索取完整规格书与合规性文件。

总结：PESD2IVN24-TR-ES 以其双路双向保护、小封装、高能量吸收与低漏电的特点，是针对中低速数据线与电源接口进行静电及瞬态保护的实用选择。设计时注意布线与接地，参考器件规格书进行系统级验证，可有效提升产品的抗扰动能力与可靠性。