FQD5N60CTM 产品概述

一、产品简介

FQD5N60CTM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高耐压 N 沟道功率 MOSFET，采用 DPAK（TO-252）封装，专为高电压开关应用设计。器件在 600V 漏源电压条件下工作，适合离线电源、开关型照明、电源初级开关等场合的高压开关与保护电路。

二、核心参数

• 漏源耐压（Vdss）：600V
• 连续漏极电流（Id）：2.8A
• 导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω @ Vgs=10V (测试电流 1.4A)
• 最大耗散功率（Pd）：2.5W
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V
• 栅极电荷（Qg）：19nC（在标注条件下）
• 输入电容（Ciss）：670pF @25V
• 反向传输电容（Crss）：8.5pF
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：DPAK（表面贴装）

三、典型应用场景

• 离线开关电源（SMPS）和反激/正激变换器的初级开关元件
• 功率因数校正（PFC）电路中的高压开关（低/中电流）
• 灯具电子镇流与恒流源应用
• 高压开关保护、缓冲或取样电路

四、设计与选型建议

1. 栅极驱动：Vgs(th) ≈4V，属于标准阈值器件，推荐使用 10–12V 的栅极驱动电压以保证较低的 RDS(on)。在低电平驱动下导通电阻会显著上升。
2. 开关损耗与栅极能量：Qg=19nC，开关频率较高时栅极驱动损耗不可忽视，需评估驱动器能力与能耗。Ciss/Crss 值表明在开关转换时会有明显的米勒效应，注意限制 dV/dt 导致的误触发。
3. 热管理：Pd=2.5W，DPAK 封装热通过焊盘和 PCB 散热，建议在 PCB 上设计足够的铜面积和过孔，靠近器件放置散热铜箔和热过孔以降低结壳温升，保证长期可靠性。
4. 过压与浪涌保护：600V 等级下仍需考虑瞬态过压，建议配合吸收电路、TVS 或 RC 缓冲，避免反复应力导致击穿或阈值漂移。
5. 布局与寄生：尽量缩短高电流回路与栅极回路走线，靠近器件放置旁路电容，减小寄生电感和环路面积，防止振荡与过冲。

五、封装与可靠性

DPAK 封装适合自动化 SMT 组装，兼具体积小和中等散热能力。器件工作温度覆盖 -55～+150℃，适用于工业级环境；但在高温高功耗工况下需注意降额使用并做好 PCB 散热设计。

六、总结

FQD5N60CTM 是一款面向高电压、低至中等电流应用的 N 沟道 MOSFET，具有 600V 耐压和适用于 DPAK 工艺的封装形态。选型时需综合考虑导通电阻、栅极驱动能量、散热能力与开关损耗，配合合理的布局与保护电路，可在开关电源和高压开关场合提供稳定可靠的性能。