1N5929BRLG 产品概述

一、产品简介

1N5929BRLG 是安森美（ON Semiconductor）出品的一款通孔轴向齐纳二极管，标称稳压值为 15V，额定耗散功率 3W（Pd=3W），采用 DO‑41 封装，适用于通用稳压、基准和过压保护等场合。器件为独立式二极管，结构简单、成本低，便于手工和波峰/回流焊接的通孔安装。

二、主要电气参数

• 稳压值（标称）：15V
• 稳压值允许范围：14.25V ～ 15.75V（±5%）
• 反向电流 Ir：1μA @ 11.4V
• 耗散功率 Pd：3W（最大）
• 动态阻抗 Zzt：9Ω（测试点附近的稳态阻抗）
• 局部阻抗 Zzk：600Ω（击穿边沿区域的阻抗）
• 封装：DO‑41（轴向通孔）

三、特性与性能解读

Zzt=9Ω 表明在规定测试工作点附近，器件具有较低的动态阻抗，从而能提供相对稳定的稳压性能；而 Zzk=600Ω 表明在击穿起始区（knee 区域）阻抗较高，说明在接近击穿电流较小时，电压随电流变化较大，需要保证工作电流进入稳定区。Ir 在 11.4V 下仅 1μA，说明低电压下的漏电较小，利于低功耗微弱偏置电路。

四、典型应用场景

• 简单的分流式稳压/基准源（低成本电源参考）
• 电压钳位／过压保护（保护后端电路不被高电压冲击）
• 信号裁剪、浪涌吸收和电平移位电路
• 家用及工控设备中需要通孔安装的模块化电源板

五、选型与使用建议

• 最大稳压耗散可达 3W，对应最大稳压电流 Iz_max≈200mA（Iz_max = Pd / Vz）；长期运行建议预留安全裕量并避免持续满载，以延长可靠性。
• 设计串联限流电阻时，按 Rs = (Vin – Vz) / Iz 选取，并计算耗散功率；若有负载电流，需把负载电流并入 Iz 计算中。
• 若需高精度稳压，建议在稳态区（远离 knee 区）工作并加入旁路电容以减小噪声与瞬态响应。
• DO‑41 为通孔轴向封装，热量主要通过引线散失，需考虑散热与布板通风，必要时降低额定工作电流或采用散热措施。

六、封装与可靠性

DO‑41 轴向封装适合穿孔安装和手工焊接，机械强度较好。器件适合一般工业环境使用，但在高温或高湿环境下应注意温度升高对稳压性能和漏电流的影响。选型时建议参照完整数据手册进行环境、热阻及寿命评估。