MMSZ4711T1G 产品概述

一、规格概述

MMSZ4711T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款独立式稳压二极管，封装为 SOD-123。标称稳压值为 27V，允许范围为 25.65V～28.35V（±5%）。在 20.4V 反向偏置时，反向漏电流典型值为 10nA。器件最大耗散功率 Pd 为 500mW，工作结温范围为 -55℃ 至 +150℃。该器件适合用于需要中高电压参考或限压保护的场合，体积小、漏电低、性能稳定。

二、主要特性

• 标称稳压：27V（容差 ±5%，25.65V～28.35V）
• 低反向漏电流：10nA @ 20.4V（有利于高阻抗电路）
• 最大耗散功率：500mW（连续工作须考虑散热与功率余量）
• 工作结温：-55℃～+150℃
• 封装：SOD-123（适合贴片回流焊）
• 类型：独立式稳压二极管（离散元件）

三、典型应用场景

• 27V 电压基准与分流稳压（小功率设备）
• 电源浪涌或过压钳位保护
• 信号线路和测量电路的电压限制与保护
• 高阻抗检测电路与低漏电要求的参考源
• 通信设备、工业控制和消费电子中的局部稳压或保护电路

四、设计与使用建议

• 最大稳压电流计算：在满额定耗散 Pd = 500mW 时，近似最大稳压电流 Iz(max) = Pd / Vz ≈ 0.5W / 27V ≈ 18.5mA。为保证长期可靠性，建议连续使用时采用降额设计（例如 50% 降额，Iz ≤ ~9mA）。
• 串联限流电阻计算：Iz = (Vin - Vz) / R。根据所需 Iz 和输入电压选择合适的限流电阻，并考虑电阻功耗与容差。
• 漏电考量：器件在 20.4V 下 Ir ≈ 10nA，说明在高阻抗参考或测量电路中能有效降低误差，但在更高温或更高反向电压下漏电会增加，应评估工作点下的实际漏电影响。
• 热管理：SOD-123 为小体积封装，热阻相对较大。若工作电流接近 Iz(max)，需评估 PCB 散热（增加铜箔、热过孔或使用散热垫）以避免结温上升超限。
• 温度特性：稳压值随结温变化，设计时需考虑温漂对精度的影响，必要时加温度补偿电路或选择更高精度参考源。

五、封装与装配注意事项

• 封装：SOD-123，适用于标准贴片工艺与回流焊。设备尺寸小，适合空间受限的应用。
• 焊接建议：遵循焊膏量与回流曲线的良好实践，避免过热造成损伤；焊盘设计应兼顾可焊性与散热。
• 存储与静电防护：在搬运与装配过程中注意静电防护（ESD），按照制造商推荐的湿度与温度条件存储，避免潮湿引起焊接缺陷。

总结：MMSZ4711T1G 为一款适用于中高电压参考与限压保护的低漏电、体积小巧的 27V 稳压二极管，适合用于对漏电敏感且空间受限的电路设计。设计时应重点关注功率降额与 PCB 散热，以保证长期稳定可靠运行。