FDC6420C

FDC6420C 产品概述

概要

FDC6420C 是由安森美（ON Semiconductor）推出的一个高性能的双通道 MOSFET 阵列，适用于各种需要高效能和紧凑设计的电子应用。该器件结合了 N 和 P沟道 MOSFET，提供了卓越的电气性能和灵活的使用场景。

基础参数

• 安装类型: 表面贴装型（SMD），适用于现代电子产品的自动化生产和高密度封装需求。
• 导通电阻: 在 3A 电流和 4.5V 栅极源极电压下，最大导通电阻为 70 毫欧，确保低能耗和高效能转换。
• 连续漏极电流: 支持 3A（N沟道）和 2.2A（P沟道）的连续工作电流，满足不同应用场景下的高电流需求。
• FET 类型: 包含 N 和 P沟道 MOSFET，能够满足各种逻辑电平门和开关应用。
• 输入电容: 在 10V 漏源电压下，最大输入电容（Ciss）为 324pF，帮助减少高频噪声和提高稳定性。
• 工作温度: 支持广泛的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C（TJ），适用于极端环境下的应用。
• 栅极电荷: 在 4.5V 栅极源极电压下，最大栅极电荷（Qg）为 4.6nC，优化了开关速度和效率。
• 漏源电压: 最高支持 20V 漏源电压，提供足够的耐压能力。
• 功率: 最大功率为 700mW，确保在高负载条件下保持稳定运行。
• 阈值电压: 在 250µA 电流下，最大阈值电压（Vgs(th)）为 1.5V，保证了低阈值操作的灵活性。

封装和外壳

FDC6420C 采用 SuperSOT™-6 封装，这是一种细型的 TSOT-23-6 封装。这种封装设计紧凑，适合现代电子产品的空间限制，同時提供良好的热性能和可靠性。

应用场景

• 逻辑电平门: 由于其低导通电阻和快速开关时间，FDC6420C 非常适合作为逻辑电平门，在数字电路中实现高效能的信号传输和控制。
• 开关应用: 高电流和低导通电阻使其成为理想的选择用于各种开关应用，如 DC-DC 转换器、电源管理模块等。
• 汽车电子: 支持广泛的工作温度范围，使其适用于汽车电子系统中的各种应用，如发动机控制、安全系统等。
• 工业控制: 在工业控制系统中，FDC6420C 可以用于驱动继电器、马达或其他高电流负载设备。

优势

• 高效能: 低导通电阻和快速开关时间确保了高效能转换，减少能量损耗。
• 紧凑设计: SuperSOT™-6 封装提供了紧凑的空间利用率，适合现代电子产品的高密度设计需求。
• 广泛兼容性: 支持 N 和 P沟道 MOSFET，能够满足不同应用场景下的需求。
• 高可靠性: 支持广泛的工作温度范围和高耐压能力，确保了长期可靠运行。

总结

FDC6420C 是一款功能强大、性能优异的双通道 MOSFET 阵列，通过其卓越的电气性能和紧凑的设计，成为各种电子应用中的理想选择。无论是在数字电路中的逻辑电平门，还是在工业控制或汽车电子中的高电流开关应用，FDC6420C 都能提供出色的性能和可靠性。