BD681G 产品概述

BD681G 是安森美（ON Semiconductor）出品的一款 NPN 达林顿功率晶体管，封装为 TO-225-3，针对中大功率开关与放大场合设计。器件以高直流电流增益和宽电压耐受能力为主要特点，适合需要高电流增益、便于用小驱动电流控制较大负载电流的应用。

一、主要电气参数

• 直流电流增益 hFE：750（在说明条件下标注为 750@3V, 1.5A）
• 集电极-发射极击穿电压 VCEo：100 V
• 集电极电流 Ic（最大）：4 A
• 集电极截止电流 Icbo：200 µA
• 集电极耗散功率 Pd：40 W（散热条件依赖）
• 集—射饱和电压 VCE(sat)：2.5 V
• 基—发射极导通电压 VBE(on)：约 2.5 V
• 工作结温范围：-55℃ ~ +150℃（Tj）

二、器件特性与优势

BD681G 为达林顿结构，内部由两级晶体管构成，提供高倍数的电流放大能力，使得基极驱动电流很小即可获得较大集电极电流。这一特性使器件在低电平驱动、逻辑接口直接驱动功率负载方面具有明显优势。此外 100V 的耐压和 4A 的电流能力使其能够胜任较高电压和中等电流的功率场合。

三、典型应用场景

• 继电器、继电器线圈及电磁阀驱动
• 低压电机、小型执行器驱动（需关注饱和压和功耗）
• 音频末级、功率放大器的驱动级
• 开关电源、功率控制电路中作为开关元件

四、使用与散热建议

由于 VCE(sat) 可达 2.5V，工作时在较大电流下会产生显著功耗（P ≈ Ic × VCE），因此需合理安排散热：采用合适散热片或将 TO-225-3 良好贴合在 PCB 或散热体上；在高功率工况下保证器件结温不超限，并注意器件的热阻与环境温度。对基极驱动建议预留合适基极电阻以限制浪涌与避免误触发。

五、注意事项

• 达林顿结构有较高的 VBE(on) 和 VCE(sat)，在设计电路时需考虑电压降对负载的影响。
• 在开关应用中，关断时由于达林顿内部耦合，会有较慢的开关特性，需评估开关速度对系统的影响。
• 最终设计前请参考原厂完整数据手册以确认引脚定义、极限参数与典型特性曲线，确保在安全工作区内使用。

BD681G 凭借其高增益与较高功率处理能力，是需要小驱动电流控制中等功率负载的常用选择，但在高效率或高速开关场合应权衡其饱和压与开关速度特性。