FDC3601N 产品概述

一、产品简介

FDC3601N 是 ON Semiconductor 推出的一款双路 N 沟 MOSFET 阵列，采用 SuperSOT™-6 表面贴装封装。器件额定漏源电压高达 100V，适合低至中等电流的高压开关场合。小巧封装与双通道集成设计便于节省 PCB 面积并简化布局。

二、主要电气参数

• 漏源耐压 Vdss：100V
• 连续漏极电流 Id：1A（单通道）
• 导通电阻 RDS(on)：500mΩ @ Vgs=10V, Id=1A
• 阈值电压 Vgs(th)：2.6V（门限电压为器件开始导通的典型值）
• 输入电容 Ciss：153pF @ 50V
• 反向传输电容 Crss：1pF @ 50V
• 功耗 Pd（器件耗散功率）：约 960mW（参考器件规格）
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

三、主要特点与性能解读

• 高压等级：100V 的耐压使其适合工业、汽车与通信等需要高压隔离的场合。
• 小封装集成：SuperSOT-6 提供了双通道 MOSFET 的高密度集成，便于空间受限的设计。
• 中等导通电阻：500mΩ 在 1A 电流下表现合适，但并非低阻型器件，不适合长时间高电流功率传输。
• 门限与驱动：Vgs(th)≈2.6V 表明在 3.3V 驱动下可部分导通，但要达到标称 RDS(on) 建议使用 10V 门极驱动。
• 开关特性：Ciss=153pF、Crss=1pF，门极电容适中，Crss 较小，开关时米勒效应较小，有利于降低误导通风险并改善开关稳定性。

四、典型应用场景

• 高压低/中等电流开关：电源管理中的开关元件、负载断电保护、继电器替代等。
• 工业与通信设备：高压控制回路、信号隔离电路、线缆供电切换。
• 电池管理与便携设备：在需要耐高压但电流不大的场合作开关或保护元件。
• LED 驱动及小功率转换器：配合驱动电路用于低频或中频开关方案。

五、设计与使用建议

• 驱动电压：若需达到规格化的低 RDS(on)，建议 Vgs=10V 驱动；若仅有 3.3V/5V 驱动，需评估在目标电流下的导通损耗与温升。
• 热管理：SuperSOT-6 封装热阻较大，器件 Pd 受限，需在 PCB 上留足铜箔面积并使用过孔通往多层内层以扩散热量。
• 布局要点：门极走线短且阻抗可控以减少干扰；漏极和源极走线加宽以降低寄生电阻与温升；在切换节点处加吸收元件以抑制电压尖峰。
• 保护措施：在高压开关场合建议串联 TVS 或 RC 吸收，防止瞬态超压；必要时并联感性负载的续流通路或钳位元件。

六、封装与可靠性

SuperSOT-6 提供良好的可焊性和小型化优势，但热性能受限，长时间高功耗工作需严格靠实验验证结温。器件额定工作温度宽，适合较苛刻环境，但在高温下导通电阻会上升，应在设计时留有余量。

七、选型注意事项

在选型时，请重点确认实际最大电流、导通损耗容忍度及驱动电压。若系统需要更低的 RDS(on) 或更高的持续电流，应考虑更低阻值或更大封装的 MOSFET。使用前建议参考完整数据手册核对热阻、极限参数与典型特性曲线，并在目标应用下做热仿真与实验验证。