FDN86246 产品概述

一、概述与定位

FDN86246 是 ON Semiconductor（安森美）推出的一款高压 N 沟道 MOSFET，采用 Power Trench® 工艺并封装于 SOT-23-3。器件额定漏–源电压 Vdss 为 150V，适用于高电压、低到中等电流的小型开关场合。工作结温范围宽 (-55℃ ~ +150℃ @ Tj)，适合工业级应用。

二、主要电气参数

• N 沟道，Power Trench® 结构
• 导通电阻 RDS(on)：195 mΩ @ VGS = 10V（ID = 1.6A）
• 连续漏极电流 ID：1.6 A
• 功耗 Pd：1.5 W（器件限额，实际热管理依应用而定）
• 输入电容 Ciss：225 pF @ 75V
• 反向传输电容 Crss：1.6 pF @ 75V

三、特性与优势

• 高压能力（150V）使其在离线电源、升压转换器和汽车电子高压侧有优势。
• 相对较低的 Ciss/Crss 有利于降低门极驱动能量与米勒效应，提升开关速度并降低开关损耗。
• SOT-23-3 小型封装便于紧凑 PCB 布局与自动化贴装，适合体积受限的应用。

四、应用建议与注意事项

• 推荐作为低端开关或高侧/低侧控制元件用于开关电源（Boost、SEPIC）、MOSFET 串联保护、电机驱动的控制级以及工业传感器供电隔离。
• 若需达到额定 RDS(on)，建议门极驱动电压接近 10V；在逻辑电平驱动（例如 4.5V）下导通电阻会增大，应评估发热与效率。
• SOT-23 封装热阻较大，接近或超过数据手册 Pd 限值时需通过铜箔散热、加大焊盘或降低占空比来控制结温，避免长期过载。

五、布局与驱动要点

• 门极走线尽量短，配合 10–100 Ω 门极串联电阻可抑制振铃与限流冲击。
• 将源端接地平面扩大以降低热阻与寄生电感；在高频开关场合注意放置退耦电容靠近器件以吸收瞬态电流。
• 对于对浪涌或反向恢复敏感的负载，可在漏源之间增加限流或吸收元件保护 MOSFET。

六、总结

FDN86246 在 150V 电压级别提供了尺寸小、开关性能适中的解决方案，适用于高压、低至中等电流的开关和保护场景。合理的门极驱动与 PCB 散热设计是发挥其性能并保证可靠性的关键。若需更高电流或更低导通电阻，可考虑更大封装或并联方案，并参考安森美完整的器件参数与应用笔记进行设计验证。