型号:

24FC1025-I/SN

品牌:MICROCHIP(美国微芯)
封装:SOIC-8
批次:23+
包装:管装
重量:-
其他:
24FC1025-I/SN 产品实物图片
24FC1025-I/SN 一小时发货
描述:EEPROM -40℃~+85℃ 1Mbit I2C 1.8V~5.5V
库存数量
库存:
37
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:100
商品单价
梯度内地(含税)
1+
28.78
100+
28
产品参数
属性参数值
接口类型I2C
存储容量1Mbit
时钟频率(fc)1MHz
工作电压1.8V~5.5V
写周期时间(Tw)5ms
数据保留 - TDR(年)200年
写周期寿命100万次
工作温度-40℃~+85℃

24FC1025-I/SN 产品概述

一、概述

24FC1025-I/SN 是 MICROCHIP(美国微芯)提供的一款 1Mbit 串行 EEPROM 芯片,采用 I2C 接口,封装为 SOIC-8,工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃。器件支持 1.8V 至 5.5V 宽工作电压,兼容多种电源平台,适用于工业级和消费类系统中非易失性数据存储需求(如参数保存、校准数据、日志与配置等)。

二、主要特性

  • 存储容量:1 Mbit(128K × 8 字节组织)。
  • 接口类型:标准 I2C(双线串行总线),最高时钟频率可达 1 MHz(Fast-mode Plus)。
  • 工作电压:1.8V 至 5.5V,适配单片机与 SoC 的多种电平。
  • 写周期时间(Tw):典型 5 ms(每次写入循环完成所需时间)。
  • 数据保留(TDR):长达 200 年(典型保证值)。
  • 写周期寿命:可达 1,000,000 次写入循环。
  • 工作温度范围:-40℃ ~ +85℃(符合工业级应用需求)。
  • 封装:SOIC-8,便于 PCB 布局与波峰/回流焊接工艺。

三、电气与时序要点

  • I2C 总线需外加上拉电阻,阻值选择应根据总线电容与工作速率调整以满足上升时间要求。
  • 芯片支持最高 1 MHz 时钟,系统设计时请确认主控 I2C 控制器与总线拓扑能支持 Fast-mode Plus。
  • 写操作期间应遵循器件写周期时间(Tw ≈ 5 ms),在写完成前避免断电或强行访问,以防数据损坏。
  • 建议在关键写操作后读取并校验写入内容(必要时采用多次验证或错误检测机制)。

四、封装与引脚(概要)

  • SOIC-8 小型化封装,适合自动贴装工艺。
  • 具体引脚定义(电源、接地、SDA、SCL、WP 等)和功能细节请参阅 Microchip 官方数据手册以获取准确的引脚排列与电气规范。

五、典型应用场景

  • 工业控制器与 PLC 的参数与固件标识存储。
  • 消费类电子设备的配置、校准与序列号保存。
  • 数据采集与记录设备的长时数据备份。
  • 汽车电子辅助系统(非安全关键应用)与测量仪器中的非易失性配置存储。

六、使用建议与设计注意事项

  • 电源去耦:接近 VCC 引脚并使用合适电容(如 0.1 μF)以抑制瞬态干扰。
  • 上拉电阻:SDA/SCL 上拉阻值通常 2.2 kΩ–10 kΩ,速率高、总线电容大时应选用较小阻值以保证上升时间。
  • 写入策略:为延长器件寿命并提高可靠性,可采用批量写入、适当的写入间隔与磨损均衡策略。
  • 防护措施:在对可靠性要求高的系统中,建议在关键写入操作前后实施电源监测或采用备用电源,防止写周期中断导致数据不一致。

七、可靠性说明

24FC1025-I/SN 在设计上提供较高的数据保持能力(TDR ≈ 200 年)与优异的写入寿命(1,000,000 次),适合需长期保存配置与校准数据的场景。实际可靠性表现依赖于应用环境(温度循环、电源质量、写入频率等),在关键应用中建议进行系统级耐久性验证。

八、小结

24FC1025-I/SN 以其 1Mbit 的大容量、宽工作电压与工业级温度范围,为需要长期、可靠非易失性存储的设计提供了灵活且稳健的方案。在设计使用前,请参考 Microchip 官方数据手册获取完整的引脚定义、时序和电气参数,以便进行正确的电路和固件设计。