AT24CM02-SSHD-T 产品概述

一、产品简介

AT24CM02-SSHD-T 是 MICROCHIP（美国微芯）系列的 2Mbit 串行 EEPROM，组织为 256K × 8，采用 I²C 接口，最高工作时钟可达 1MHz。器件工作电压宽范围 1.7V 至 5.5V，工业级工作温度 -40℃ ～ +85℃，封装为常用的 SOIC-8，便于在各类电路板上替换与布局。

二、主要规格

• 存储容量：2 Mbit（256K × 8）
• 接口类型：I²C，最高时钟频率 1 MHz
• 工作电压：1.7V ~ 5.5V（兼容 1.8V / 3.3V / 5V 系统）
• 写周期时间（Tw）：典型 10 ms
• 写周期寿命：1,000,000 次
• 数据保留（TDR）：100 年
• 工作温度：-40℃ ~ +85℃
• 封装：SOIC-8
• 典型访问延迟：约 450 ns（参考值，详细参数请以正式数据手册为准）

三、特性与优势

• 宽电压范围支持多种系统电源，便于在不同平台间通用替换；
• 高耐久写入（百万次）和超长数据保存（100 年），适合长期配置、校准及密钥存储；
• I²C 总线简洁，支持1 MHz 的快速通信，便于与主控 MCU/SoC 集成；
• SOIC-8 常规封装，利于量产焊接与手工调试；
• 低电压下仍能可靠工作，适配低功耗与电池供电设备。

四、典型应用

• 配置参数、校准系数、序列号及出厂数据保存；
• 工业控制器、仪表与传感器节点的非易失性存储；
• 启动配置、固件替换辅助信息、加密密钥的安全保存（配合系统安全措施）；
• 消费电子、通信设备、汽车电子中的小容量数据保留场景。

五、设计与使用建议

• I²C 总线上请配置合适的上拉电阻并遵守时序规范；若系统工作在 1 MHz，应确认总线负载与上拉值保证电平转换；
• 在高频写入场景下采用写入缓冲与合并策略，减少写周期次数以延长器件使用寿命；合理分布写入地址实现“磨损均衡”；
• 写操作完成后可采用器件的内部写完成检测（ACK polling）或延迟 Tw（10 ms）确保数据写入完成；
• 在电源旁放置 0.1 μF 陶瓷去耦电容，以降低瞬态干扰导致的数据错误；
• 选型与最终设计请以 MICROCHIP 官方数据手册（Datasheet）及封装图为准，涉及安全与加密应用时配合系统级加密与访问控制。

概述总结：AT24CM02-SSHD-T 以其宽电压、工业级温度范围、长寿命写入与超长期数据保存特性，适合各类需要可靠非易失性存储的嵌入式与工业应用场景。若需对接具体电路与时序，建议参考官方详细资料并进行板级验证。