型号:

ESD5491S-2/TR

品牌:WILLSEMI(韦尔)
封装:SOD-523
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
ESD5491S-2/TR 产品实物图片
ESD5491S-2/TR 一小时发货
描述:保护器件 ESD5491S-2/TR
库存数量
库存:
7472
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.106
3000+
0.084
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压10V
峰值脉冲电流(Ipp)9A@8/20us
击穿电压3.3V
反向电流(Ir)11nA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容9.9pF

ESD5491S-2/TR 产品概述

一、产品简介

ESD5491S-2/TR 是 WILLSEMI(韦尔)推出的一款单路双向瞬态抑制器件,封装为超小型 SOD-523。器件针对低电压信号线设计,额定反向截止电压(Vrwm)和击穿电压均为 3.3V,提供快速的浪涌与静电放电(ESD)保护,适用于便携式、通信与工业接口等对体积与响应速度有严格要求的场合。后缀 TR 表示以 Tape & Reel 方式供货,方便贴片自动化生产。

二、主要参数(关键规格)

  • 极性:双向(Bidirectional)
  • 通道数:单路
  • 反向截止电压 Vrwm:3.3 V
  • 击穿电压(典型):3.3 V
  • 钳位电压(典型):10 V(在 Ipp 条件下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:9 A @ 8/20 μs
  • 反向电流 Ir:11 nA(典型)
  • 结电容 Cj:9.9 pF(典型)
  • 防护等级:满足 IEC 61000-4-2 (ESD)、IEC 61000-4-4 (EFT)、IEC 61000-4-5 (浪涌) 要求
  • 封装:SOD-523(超小型封装)

三、产品特性与优势

  • 双向保护:无需区分极性,适合数据线正/负两向瞬态抑制。
  • 低电容:典型结电容 9.9 pF,有利于高速信号线(如串行总线、数据接口)保持信号完整性。
  • 高瞬态吸收能力:在 8/20 μs 波形下可承受高达 9 A 峰值脉冲,钳位电压约 10 V,能有效钳制高能量瞬态。
  • 低漏电:反向漏电 11 nA 水平,适合对静态功耗敏感的低功耗系统。
  • 微型封装:SOD-523 体积小,便于在空间受限的移动终端与模块上使用。

四、典型应用场景

  • 3.3V 或以下的通信接口保护(UART、SPI、I2C 等)
  • 手机、平板、可穿戴设备的外部引脚保护(耳机插口、触摸屏接口)
  • 无线模块、GPS、蓝牙模块的天线或控制线保护
  • 工业控制与医疗设备中对电磁兼容性(EMC)要求较高的低压信号线

五、使用与PCB布板建议

  • 器件应尽可能靠近被保护的连接器或接口放置,缩短导线长度以降低感性串扰与钳位电压上升。
  • 地接地路径要低阻抗,建议在保护器附近设置一条粗短的接地回流路径或接地过孔(via),避免长距离回流。
  • 对于高频差分或单端高速信号,注意器件结电容对信号波形的影响,必要时通过增加阻尼或匹配网络进行补偿。
  • 在需要更低钳位电压或更高能量吸收能力时,可并联或串联其他保护元件或使用多级保护方案(例如一级浪涌抑制加二级快速 ESD 管)。

六、选型与注意事项

  • 虽然钳位电压典型值为 10 V,但在不同能量和布局条件下可能有所偏差;对下游敏感芯片请验证实际系统下的钳位电压。
  • SOD-523 的功耗与热量有限,不适合长期大功率连续冲击场景;如需多次高能量脉冲保护,应确认器件的重复脉冲能力和热管理。
  • 订购时注意后缀 /TR 表示卷盘供货(Tape & Reel),便于自动贴片。

本器件凭借小体积、低电容与合格的瞬态承受能力,是面向 3.3V 及以下低电压信号系统的实用 ESD 保护选择。选用时建议在目标系统上进行实测验证,以确保在特定布局和工况下满足保护需求。