LGS4056HEP-4.35 产品概述

一、产品简介

LGS4056HEP-4.35 是棱晶半导体（Legend‑Si）推出的一款高集成度单节锂电池充电管理芯片。芯片专为单节锂离子/锂聚合物电池设计，支持最高 1A 的恒流充电能力，充电终止电压为 4.35V，工作电压范围宽（4V～28V），适配多种电源输入场景（适配器、车载电源等）。器件封装为 ESOP‑8，工作温度范围为 -40℃ 到 +85℃，并支持电池温度检测及 0V 电池唤醒充电功能，静态电流仅 150µA，适合对待机功耗和安全性有较高要求的便携与嵌入式系统。

二、主要特点

• 支持单节锂离子/锂聚合物电池，充电饱和电压 4.35V。
• 宽输入电压：4V ～ 28V，兼容多种供电来源。
• 最大充电电流 1A（实际充电电流可通过外部元件或参考器件资料设定）。
• 支持 0V 电池唤醒充电，能对深度放电电池进行安全恢复。
• 支持电池温度检测（NTC 等方式），提升充电安全性。
• 低静态电流 Iq = 150µA，节省电池待机损耗。
• 工作温度范围宽：-40℃ ～ +85℃。
• 封装：ESOP‑8，便于 PCB 布局与散热设计。

三、工作原理与功能说明

LGS4056HEP-4.35 实现常见的锂电池充电流程（恒流→恒压→终止/涓流维护）。典型工作流程如下：

• 预充电（对低电压电池）：当电池电压极低时，芯片可以限定电流对电池进行涓流唤醒直至达到安全阈值，随后进入正常恒流充电阶段。
• 恒流充电（CC）：在恒流阶段，芯片将电池电流控制在设定值（最高 1A），快速提升电压至 4.35V。
• 恒压充电（CV）：电池电压达到 4.35V 后，进入恒压阶段，电流逐步下降直至满足终止条件。
• 终止与维护：完成充电后芯片进入低功耗待机或对电池进行周期性补充充电以维持电池健康（具体行为以器件资料为准）。
  此外，芯片支持电池温度检测接口，用于监控电芯温度并在异常温度下禁止或限制充电以提高安全性。低 Iq 有利于在长时间待机或电源断开时降低系统损耗。

四、典型应用场景

• 便携式消费电子：蓝牙音箱、便携媒体播放器、小型手持终端。
• 可穿戴与健康监测设备（功耗敏感场合，可受益于低静态电流）。
• 小型电源模块与移动电源（单节高压锂电池方案）。
• 工业与车载辅助供电（输入电压可覆盖更宽的车辆电源范围，需配合输入保护）。
• 智能家居与物联网终端的电池备份与管理。

五、设计注意事项

• 散热：满载 1A 充电时，芯片与外部元件（如功率 MOSFET、电阻）会产生热量，须在 PCB 布局中做好散热路径与铜箔面积设计，必要时加散热铜或金属垫。
• 输入保护：尽管输入电压范围宽，但推荐在输入端加输入滤波、浪涌抑制与反接保护，以应对实际应用中的瞬态与极端工况。
• 充电电流设置：实际应用中请参考器件资料或评估电阻设置方法来精确设定充电电流，避免直接将电流设定到器件最大值以留出安全裕量。
• 温度检测：正确接入 NTC 或温度传感元件并实现充电温度策略，确保电池在安全温度范围内充电。
• 深度放电电池：0V 唤醒功能可恢复过放电电池，但应辅以恰当的安全判断逻辑以防电池异常。

六、封装与环境指标

• 封装形式：ESOP‑8，利于自动贴装与量产。
• 工作温度：-40℃ ～ +85℃，适应严苛工业与户外环境。
• 品牌：Legend‑Si（棱晶半导体），产品型号 LGS4056HEP‑4.35。

七、产品优势小结

LGS4056HEP‑4.35 以宽输入电压、支持 0V 唤醒、温度监测和较低待机电流为主要优势，适用于对安全性、适配性与待机功耗有要求的单节锂电池充电场合。ESOP‑8 封装与工业级温度范围也为其在消费与工业应用中提供了较高的可靠性与实用性。有关引脚定义、电流设置方法与典型外部电路，请结合官方数据手册进行下一步设计与验证。