YJQ10N02A 产品概述

一、产品简介

YJQ10N02A 是扬杰（YANGJIE）推出的一款小封装低压功率 N 沟 MOSFET，采用 DFN2020-6L 封装，针对空间受限、效率要求高的电源与开关场景优化。器件工作温度范围宽（-55℃~+150℃），适用于便携与工业级应用。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：20 V
• 连续漏极电流 Id：13 A（热阻和散热条件相关）
• 导通电阻 RDS(on)：18.5 mΩ @ Vgs=1.8 V, Id=4 A
• 阈值电压 Vgs(th)：1.0 V
• 耗散功率 Pd：2.2 W（器件和 PCB 散热相关）
• 总栅电荷 Qg：11.05 nC @ Vgs=4.5 V
• 输出电容 Coss：133 pF
• 输入电容 Ciss：888 pF @ 10 V
• 反向传输电容 Crss：117 pF @ 10 V
• 封装：DFN2020-6L（小尺寸，便于高密度布板）
• 数量：1 件

三、主要特性与优势

• 低导通电阻（18.5 mΩ@1.8V）适合低压大电流导通场合，降低导通损耗。
• 低栅荷（Qg≈11 nC）便于驱动，提高开关效率，适配中等能力的栅极驱动器。
• 紧凑 DFN2020-6L 封装，利于高密度布局和板级热管理。
• 宽温度范围和较高的连续电流能力，满足苛刻工作环境需求。

四、典型应用

• 移动电源、便携式设备的负载开关与保护开关
• 电池管理与充放电控制（低压系统）
• DC-DC 降压/同步整流控制（20V 以下）
• 电机驱动中低压通断元件、功率路径切换

五、热设计与封装建议

DFN2020-6L 为小尺寸封装，器件耗散功率 Pd=2.2W 在实际应用中受 PCB 铜箔面积和过孔散热影响显著。建议：

• 在 PCB 底部或焊盘处增加大面积铜箔并并联多颗热过孔以导出热量；
• 对连续大电流场合评估结温与周围环境，必要时扩大散热面积或使用散热介质；
• 验证 RDS(on) 随温度上升的影响，保证在最差工况下仍满足热限。

六、驱动与开关注意事项

• 虽然 RDS(on) 在 Vgs=1.8V 时已较低，但推荐尽量保证充分的栅极驱动电压以最小化导通损耗；
• 总栅电荷 Qg=11.05 nC 要求驱动器能提供相应瞬时电流，若驱动能力有限可采取更慢的开关速率或使用低 ESR 驱动器；
• Crss=117 pF 与寄生电感一起会影响 dv/dt，必要时在栅极串联小阻（5–20Ω）并考虑 RC 或阻容吸收以抑制振铃与过冲。

七、可靠性与选型建议

• 在选型时注意 Id 与 Pd 都受 PCB 散热限制，建议在目标板上做热测与电测验证；
• 若用于具有浪涌或反向电压脉冲的环境，应配合 TVS 或浪涌抑制保护；
• 对温度敏感应用建议评估长期结温对 RDS(on) 与寿命的影响。

八、订购信息

• 品牌：YANGJIE（扬杰）
• 型号：YJQ10N02A
• 封装：DFN2020-6L
  如需样片测试或获得完整器件曲线（漏电流、RDS(on) 随温度与 Vgs 变化、开关波形），建议联系供应商索取数据手册以进行详细设计验证。