MBR20100CT-G1 产品概述

一 产品简介

MBR20100CT-G1 是 DIODES（美台）推出的一款肖特基势垒二极管对，采用一对共阴极（共阴）配置，封装为 TO-220-3。器件针对中功率整流与开关电源输出整流优化，具有低正向压降、高浪涌承受能力与较高的反向耐压特性，适合需要高效率与可靠整流的电源设计。

二 主要参数

• 二极管配置：1 对共阴极（Common Cathode）
• 正向压降 (Vf)：0.84 V @ 10 A
• 直流整流电流：10 A
• 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：150 A
• 直流反向耐压 (Vr)：100 V
• 反向电流 (Ir)：50 μA @ 100 V
• 封装：TO-220-3（带安装孔，便于散热）

三 性能特点

• 低正向压降：在大电流下保持较低的导通损耗，提升整机效率。
• 高浪涌能力：150A 的峰值浪涌能力提高了对启动或瞬态冲击的耐受性。
• 100V 阻断电压与低反向漏电：适用于中高压开关电源与整流场合，同时在高压下漏电较小，减少静态损耗。

四 封装与热管理

TO-220-3 封装提供良好的机械强度与热流路径，背部金属面可直接与散热片或机箱连接以提高散热效率。实际应用中建议配合合适的散热片、热界面材料和正确的安装扭矩，以保证在 10 A 连续整流下的温升可控，延长器件寿命。

五 典型应用

• 开关电源二次侧整流（DC-DC、AC/DC）
• 电池与充电管理系统的整流与反向保护
• 电源 OR-ing 与输出二极管
• 马达驱动与工业电源的再生/回馈回路

六 使用与选型建议

在选型时应综合考虑工作电压裕量、最大工作温度及散热条件。若工作在高温或连续满载工况，应预留热阻裕量并考虑并联或选择更大电流等级的器件。焊接与安装请遵循厂家推荐的温度曲线与扭矩规范，避免过热或机械应力造成封装损伤。

七 可靠性与注意事项

尽管器件具备良好的浪涌能力和低漏电特性，仍应避免长期在极限条件（高温、高电流、高频反复冲击）下使用。系统设计中建议加入适当的保险与过流保护电路，以提升整机可靠性。订购时请确认完整型号（含 -G1 版本标识）与生产批次，采用原厂或授权分销渠道以确保品质与追溯。

如需完整典型特性曲线、热阻值及典型应用电路图，可参考 DIODES 官方数据手册或联系供应商获取详细规格书。