BSS123 产品概述

一、产品简介

BSS123 是 ON Semiconductor（安森美）推出的一款小功率 N 沟道增强型场效应管，封装为 SOT-23，适用于高压、低电流的开关与模拟应用。器件额定漏源电压 Vdss 为 100V，适合需耐高压但电流不大的电路场合。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（增强型）
• 漏源电压 Vdss：100V
• 连续漏极电流 Id：170mA
• 导通电阻 RDS(on)：10Ω @ Vgs=4.5V（测试电流 0.17A）
• 耗散功率 Pd：360mW（按封装散热条件）
• 阈值电压 Vgs(th)：1.7V
• 输入电容 Ciss：73pF @25V
• 反向传输电容 Crss：3.4pF @25V
• 工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
• 封装：SOT-23，单芯片

三、特性与优势

该器件的主要优势在于高耐压与小体积结合，适合需要 100V 耐压但电流需求较低的场合。较小的输入电容（73pF）有利于高速开关和降低门极驱动能量消耗；Crss 较小有利于减小米勒效应，提升开关稳定性。SOT-23 封装便于表面贴装，适合空间受限的电路板设计。

四、典型应用场景

• 高压侧的小信号开关与负载选择（如小电流继电器驱动、传感器隔离）
• 便携式设备或工业接口中的高压保护与控制电路
• DC-DC 转换器的辅助开关或启动电路（当工作电流较小）
• 模拟开关、电平转换与超高阻抗信号的控制

五、使用与驱动建议

• 门极驱动：建议 Vgs 驱动在 4.5V 附近以达到标称 RDS(on)；若仅用逻辑电平（3.3V），需验证实际导通电阻和功耗。
• 开关损耗：尽管 Ciss 不大，但在高频开关时仍需考虑功耗与电压应力，合理控制开关边沿与使用阻尼。
• 保护措施：在感性负载或有浪涌时，建议并联钳位或二极管以保护器件免受瞬态过压。

六、热与封装注意事项

SOT-23 封装的热阻较高，额定 Pd（360mW）通常在特定散热条件下成立。实际电路中应关注封装到 PCB 的散热路径，增加铜箔面积或散热垫可显著提升功率承载能力，避免长期在高结温下工作以延长可靠性。

七、选型提示与结论

选择 BSS123 时，若应用要求耐压高但电流较小、体积受限且需要低输入电容的 MOSFET，BSS123 是经济且实用的选择。若工作电流或开关频率较高，应考虑 RDS(on) 更低或功率更大的封装替代品。总体而言，BSS123 在高压低功耗小信号开关领域表现均衡，适合广泛的工业与消费电子应用。