型号:

CBM201209U601T

品牌:FH(风华)
封装:0805
批次:26+
包装:-
重量:-
其他:
-
CBM201209U601T 产品实物图片
CBM201209U601T 一小时发货
描述:磁珠 600Ω@100MHz 100mΩ ±25% 2A
库存数量
库存:
1161
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0471
4000+
0.0374
产品参数
属性参数值
阻抗@频率600Ω@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)100mΩ
额定电流2A
通道数1
工作温度-55℃~+125℃

CBM201209U601T 产品概述

一、产品简介

CBM201209U601T 是风华(FH)推出的一款单通道贴片磁珠(磁性滤波元件),封装尺寸为0805(2012米制)。该器件用于抑制高频干扰、改善电磁兼容(EMC)性能,适合用于电源线与信号线的高频噪声抑制与穿越滤波。

二、主要参数与特性

  • 直流电阻(DCR):100 mΩ(标称),公差 ±25%(注:误差项为器件参数允许偏差,具体以厂家数据表为准)。
  • 阻抗:600 Ω @ 100 MHz(高频下呈高阻抗以吸收/衰减干扰)。
  • 额定电流:2 A(连续载流能力)。
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +125 ℃。
  • 通道数:1(单端磁珠)。
  • 封装:0805(适合常规SMT贴装流程)。

三、典型应用场景

  • 数字电路电源线的高频干扰抑制(如单板电源滤波、稳压器输入/输出)。
  • USB、HDMI、LVDS 等高速接口的共模/差模干扰抑制(作为局部滤波元件配合去耦电容使用)。
  • 无线通信终端、消费电子、主板、摄像头模组等要求尺寸小、滤波效果好的场合。

四、使用与布线建议

  • 建议将磁珠靠近干扰源或敏感器件放置,以缩短引线并提高抑制效果。
  • 与去耦电容配合使用可形成更宽带的滤波效果:磁珠优于高频吸收,电容负责低频旁路。
  • 安装时应采用短而粗的连接走线,避免在磁珠两端留过长走线导致寄生影响。

五、热管理与功耗计算

  • 根据标称DCR 0.1 Ω,在额定电流2 A下的理论功耗为 P = I^2·R ≈ 0.4 W。实际温升受封装、PCB散热和环境影响,建议在设计中评估器件周边散热并参考厂家温升曲线。若实际电流接近或超过额定值,应考虑并联多颗或选用更低DCR器件。

六、可靠性与封装工艺

  • 0805 封装兼容常规回流焊工艺。焊接温度曲线应遵循厂方资料以保证可靠性。
  • 工作温度范围广,适合工业级应用;对长期可靠性要求高的场合建议参考厂家加速寿命与热循环数据。

七、选型要点与注意事项

  • 若目标频段有特定抑制要求,请关注器件阻抗频谱曲线;标称600 Ω@100 MHz 表明在该频率点吸收能力强。
  • ±25% 的公差可能影响滤波一致性,批量应用时注意筛选与匹配。
  • 注意电流带载引起的阻抗衰减或温升影响,必要时进行实测验证或咨询风华技术支持。

总体而言,CBM201209U601T 在尺寸、额定电流与高频抑制上具有良好平衡,适合常见电子产品的 EMI 管控与电源/信号线滤波应用。购买与设计前建议参考风华完整规格书与阻抗随频曲线,以获得最优滤波效果。