1N4749ATR 产品概述

一、产品简介

1N4749ATR 是 ON Semiconductor（安森美）出品的一款 24V 稳压二极管（Zener），采用 DO-41 轴向封装，单颗耗散功率 1W，适用于低功率基准与过压保护场合。型号后缀 “ATR” 通常表示带卷盘（tape & reel）自动贴装包装，便于批量生产使用。

二、主要参数

• 标称稳压值：24V
• 稳压值范围：22.8V ~ 25.2V
• 反向电流 Ir：5 μA @ 18.2V
• 耗散功率 Pd：1W（在规定散热条件下）
• 交流阻抗 Zzt：25 Ω
• 低电流拐点阻抗 Zzk：750 Ω
• 工作结温范围：-65 ℃ ~ +200 ℃
• 封装：DO-41（轴向引线）

三、关键性能解析

• 稳压精度：标称 24V，实际出厂值在 22.8–25.2V 之间，适合需要中高电压参考或保护的场景。
• 动态阻抗（Zzt=25Ω）：在测试电流附近对小幅负载或输入变化具有一定抑制能力，动态响应对稳压精度有直接影响。
• 拐点阻抗（Zzk=750Ω）：在低电流区电压陡降，表明在微小偏流下稳压效果弱，设计时应确保足够的稳压电流。
• 反向漏流小（5 μA @18.2V）：低漏流有利于微功耗系统，但随温度升高会显著增加。

四、典型应用

• 直流电压基准与参考源（低功耗仪表）
• 电源辅助稳压（负载较小的电路）
• 过压或瞬态抑制（配合限流电阻使用）
• 模拟电路偏置与保护电路

五、使用与选型建议

• 保证工作在稳压区：设计时应使稳压二极管的电流 Iz 在其测试或推荐范围内，避免仅在拐点附近工作。
• 限流电阻计算：R = (Vin - Vz) / (Iz + Iload)，其中 Iz 为预留给稳压管的电流，Iload 为负载电流。
• 功率限制：二极管最大耗散 Pd=1W，实际运行时应计算 Diode Pd = Vz × Iz，确保不超过 1W；在高环境温度下需降额使用或增加散热措施。
• 对温度敏感：注意工作温度对漏流和稳压值的影响，高温会提高漏流并改变 Vz。

六、热管理与可靠性

DO-41 轴向封装热阻相对较大，单颗 1W 功耗在封装上容易导致结温上升。为延长寿命并保证稳压性能，建议留出足够的空间以利散热、减少焊点热阻，或者通过降低 Iz 来控制耗散；在高温环境下应按厂家曲线进行功率降额。

七、引脚与机械信息

轴向引线易于穿孔安装与手工焊接，器件一端有阴极带标识。TR/ATR 包装便于自动化装配与批量生产。

八、检验与注意事项

• 入板前建议做外观与极性检查（阴极带）。
• 上电验证时逐步调节电流，监测发热与稳压点。
• 不要超过反向功率和正向电流限制，避免瞬态电压冲击损坏。

总结：1N4749ATR 是一款适合中高电压、低功耗应用的 24V、1W 稳压二极管。合理选型与热管理、确保在稳压区工作，可为多种电子电源与保护电路提供可靠的电压基准与过压保护。若需更详细的电气特性曲线与热阻数据，建议参考 ON Semiconductor 的原厂数据手册。