RB751S40T5G 产品概述

一、产品简介

RB751S40T5G 是安森美（ON Semiconductor）系列的小功率肖特基二极管，采用独立式封装（SOD‑523）。该器件以极低的正向压降和快速开关特性为主要卖点，适合对效率和响应速度有较高要求的小电流应用场景。

二、主要电气参数

• 正向压降：0.28 V @ 1 mA（Vf = 280 mV@1mA）
• 直流反向耐压：30 V（Vr）
• 额定整流电流：30 mA（连续）
• 反向漏电流：300 nA @ 30 V（Ir）
• 峰值非重复浪涌电流：500 mA（Ifsm）
• 工作结温范围：-55 ℃ ~ +150 ℃

三、突出特点

• 低正向压降：在微小电流下 Vf 仅约 280 mV，可显著降低功耗、提高系统效率，适合低压或电池供电应用。
• 低漏电流：在 30 V 时漏电仅约 300 nA，适用于待机电流敏感的电路。
• 快速响应与高浪涌能力：肖特基特性使其在整流与开关场合具有更快恢复速度，Ifsm=500 mA 可承受瞬态冲击。
• 小型化封装（SOD‑523）：占位小，便于高密度布板和便携设备使用。

四、典型应用

• 便携式与电池供电设备的反向保护或二次整流
• 低压降消费电子电源路径选择
• 高速信号隔离、钳位、保护电路
• 低功耗待机/节能模块的泄漏与效率优化

五、封装与使用注意

SOD‑523 为超小型表贴封装，适合常规回流焊工艺。由于封装体积小，功耗和热耗散能力有限，长时间工作电流接近额定值时需关注结温上升；布局时避免将热源集中在器件附近。建议按器件数据手册提出的回流曲线与焊盘建议设计 PCB。

六、可靠性与选型建议

器件工作温度范围宽（-55 ℃ ~ +150 ℃），适应工业级环境。选型时若电路常态电流或功耗较大，应考虑更高额定电流或更大封装的肖特基器件；对浪涌能力或反向耐压有更高要求的场合亦应优先选择相应规格产品。总之，RB751S40T5G 适合对体积、低压降和低漏电有严格要求的小电流应用。