BAW56M3T5G 产品概述

一、产品简介

BAW56M3T5G 为 ON Semiconductor（安森美）推出的一款双二极管阵列，采用共阳极（1 对共阳极）配置，标准整流/开关用途。器件以超小型表面贴装封装 SOT-723-3 提供，适合空间受限的电子设备与高密度 PCB 布局。该器件设计用于小电流整流与高压阻断场合，具有良好的可靠性与宽工作温度范围，适配消费类与工业类应用。

二、关键参数（典型/额定）

• 正向压降 Vf：1.25 V @ 150 mA
• 直流反向耐压 Vr：75 V
• 连续整流电流（DC）：200 mA
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：500 mA（单次峰值）
• 工作结温范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SOT-723-3（3 引脚， 共阳极结构）
• 品牌：ON (安森美)

三、主要特性与优势

• 共阳极双二极管阵列，便于实现双路对称整流或保护电路的节省空间设计。
• 75V 反向耐压满足中低电压系统的反向阻断要求，适合多种电源与信号线路保护。
• 低正向压降在 150 mA 工作点仍能保持较低功耗，有利于提高效率并减小发热。
• 超小 SOT-723-3 封装，有利于高密度 PCB 布局与自动贴片生产。

四、典型应用场景

• 便携式设备与小型充电电源的小电流整流或反向保护。
• 高密度信号收发模块中的浪涌保护与钳位电路。
• 工业控制与仪表中用于隔离或防止反向电压损伤的保护元件。
• 任何需在受限空间内实现双通道整流或保护的电子产品。

五、封装与装配建议

• 器件采用 SOT-723-3 小封装，推荐使用对应的 PCB 焊盘布局以保证可靠焊接与散热。
• 建议按照制造商提供的回流焊工艺曲线进行焊接，避免超过器件规定的温度峰值与持续时间。
• 在高重复电流或频繁冲击的应用中，应考虑器件的散热条件与峰值电流容限，必要时采用并联或改用更大功率器件。

六、选型提示

在选型时应基于实际电流波形与峰值需求评估 Ifsm 与连续电流是否满足，若存在频繁脉冲或更高冲击电流场合，建议选用额定更高的器件或增加保护措施。同时确认封装尺寸与焊盘布局与 PCB 规则匹配，以保证可靠装配与长期可靠性。