1N5337BRLG 产品概述

一、产品概述

1N5337BRLG 是 ON Semiconductor（安森美）供应的一款 4.7V、5W 功率齐纳二极管，采用 DO-201AD 轴向封装，面向需要稳压、基准或浪涌钳位的应用场景。该器件为独立式齐纳（二极管配置：独立式），标称稳压值 4.7V（5% 公差），在规定测试条件下具有良好的稳压性能与热稳定性，适用于通用的低压基准与保护电路。

二、主要电气和热参数

• 标称稳压（Vz）：4.7V（公差约 ±5%，实测范围 4.47V~4.94V）
• 反向电流（Ir）：5 μA @ 1V（漏电特性）
• 耗散功率（Pd）：5 W（器件最大耗散，需考虑散热与降额）
• 动态阻抗（Zzt）：2 Ω（在测试电流点的动态阻抗，表征调节能力）
• 膝部阻抗（Zzk）：450 Ω（低电流区的阻抗特性，影响在微小电流下的电压上升）
• 工作结温范围：-65 ℃ ～ +200 ℃（广泛的结温范围，适应严苛环境）
• 封装：DO-201AD（轴向大功率封装，便于散热与穿板安装）
• 品牌：ON（安森美）

三、性能特点与意义

• 低动态阻抗（Zzt = 2 Ω）意味着在额定测试电流附近，电压随电流变化小，稳压效果好，适合做简单的参考源或低精度稳压器。
• 膝部阻抗较大（Zzk = 450 Ω）提示在极低电流区（接近齐纳膝部）电压敏感度高，因此如果电路要求在微安及以下电流稳定输出，需要注意选择工作点或并联其他元件改善稳定性。
• 漏电低（5 μA @1V），有利于在低电流或断电态保持较低的泄漏损耗。
• 最大耗散功率 5W 表明器件能处理较大的功率，但需要适当的热管理与电路设计以避免结温过高。

四、典型应用场景

• 低电流参考电压源（非高精度场合）
• 简单的稳压电路（作为并联稳压器，与串联限流电阻配合）
• 电源浪涌与过压钳位（短时间吸收能量，但需确保不超过功耗和能量限制）
• 基本保护电路、基准电压为比较器或驱动电路提供参考
• 工业及宽温区电子设备中对稳压和保护的通用需求

五、选型与电路注意事项

• 功率与电流选择：理论上最大稳态齐纳电流 Iz,max = Pd / Vz ≈ 5 W / 4.7 V ≈ 1.06 A。但实际连续工作电流应远低于该值，需结合封装散热条件和实装环境进行电流降额计算。建议常规稳压工作点选在几十毫安至数百毫安范围，根据散热条件决定。
• 串联电阻计算：当用作并联稳压时，串联电阻 R = (Vin - Vz) / Iz，其中 Iz 为设定的齐纳电流。串联电阻功率 Pd,R = (Vin - Vz) * Iz，应选择合适额定功率并合理散热。
• 热管理：轴向 DO-201AD 封装有较好的散热能力，但在高功耗场合仍需保证良好空气对流或借助散热体。长期工作时注意结温不要超过器件规格（尤其在高环境温度下要进行功率降额）。
• 启动与稳定：由于膝部区域阻抗较高，避免工作点落入微电流区，必要时在电路中加入预偏置或使用低噪声运放/参考源做前置，以提高稳定性和响应。
• 耐压与极性：齐纳二极管在反向击穿区工作，正向电压与一般整流二极管相同。在安装时注意极性标识，避免反向接入电路造成失效。

六、封装与机械特性

• DO-201AD 为轴向大功率封装，适合穿孔安装和手工焊接，机械强度高，易于在 PCB 上布置散热通道。封装尺寸和引脚间距便于在高功耗设计中留出足够的空气间隙和散热路径。
• 轴向封装便于并联多只器件或采用夹具固定以增强散热接触，适合需要稳定长时间工作的场合。

七、可靠性与环境适应

• 宽工作结温（-65 ℃ 至 +200 ℃）使该器件适用于航空、工业控制和其他对温度范围要求高的应用。实际使用时仍应结合系统散热与老化因素进行设计余量评估。
• 建议在关键应用中对长期漂移、热循环和冲击环境做适用性验证，特别是当器件担当参考源或安全限位器时。

八、总结

1N5337BRLG 是一款面向通用稳压与保护应用的 4.7V、5W 齐纳二极管，具有低动态阻抗、低泄漏和宽温区特性，DO-201AD 封装便于散热与装配。它适用于需要中等精度基准、电压钳位和浪涌保护的电路。设计时应重视热管理、合适工作电流的选择以及串联限流电阻和器件降额，以确保长期可靠运行。