BD135-16 产品概述

一、主要参数

BD135-16 是一款通用型 NPN 双极结晶体管，适合中低功率放大与开关应用。主要电气参数如下：

• 晶体管类型：NPN
• 集电极电流 (Ic)：1.5 A
• 集—射极击穿电压 (Vceo)：45 V
• 耗散功率 (Pd)：1.25 W（在规定散热条件下）
• 直流电流增益 (hFE)：约 40（在 Ic = 150 mA、VCE = 2 V 条件下）
• 集电极截止电流 (Icbo)：10 µA（典型）
• 集—电极饱和电压 (VCE(sat))：500 mV（典型或最大值，视测试条件而定）
• 射基极击穿电压 (Vebo)：5 V
• 封装：TO-126
• 品牌：ST（意法半导体）
• 数量：1 个

二、器件特性与优势

BD135-16 在中等电流范围内表现稳定，hFE 在 150 mA 左右仍能保持约 40 的增益，适合做小信号功率放大或驱动级。Vceo 为 45 V，能够承受常见的音频、控制电路电压余量；同时集电极截止电流较小（Icbo = 10 µA），利于高阻态下的低漏电流表现。TO-126 封装便于 PCB 安装与简单散热处理，适合柜内或小型散热片固定使用。

三、典型应用

• 音频前级或驱动级放大器
• 中小功率开关与驱动（继电器、继电器驱动、继电器线圈驱动）
• LED 驱动与恒流源（在符合功率限制下）
• 一般用途的线性放大与功率缓冲电路

四、封装与机械注意

BD135-16 常见为 TO-126 平面三引脚封装，体积小且带有可固定的散热面。实际引脚排列与管脚功能请以官方数据表为准；封装允许通过螺丝或粘片方式与小型散热片接触以提高 Pd 极限。

五、使用建议与注意事项

• 工作点设定时应保证结温与耗散不超过 Pd = 1.25 W，否则需加散热措施或降低功率。
• 避免在反向 Vbe 超过 5 V 的条件下施加电压（Vebo = 5 V）。
• VCE(sat) 在饱和导通时可达约 500 mV，驱动高电流负载需考虑功耗与温升。
• 基极电阻应根据驱动源与所需电流选择，以限制基极电流并保护器件。
• 在高电压或高电流切换应用中，注意器件的安全工作区（SOA）与瞬态应力。
• 贮存与焊接需遵循厂商湿敏等级与静电防护要求。

六、采购与替代建议

本件品牌为 ST（意法半导体），型号为 BD135-16，封装 TO-126。采购时请对照完整数据表确认所有测试条件与极限参数，以确保满足实际电路要求。若需更高功耗或更大电流，可以考虑功率级别更高的替代器件；若仅需相似电压与电流但不同封装，可选择与 BD135 相近参数的等效型号并验证 hFE、VCE(sat) 与 Pd 的匹配。

如需进一步的电气特性曲线、引脚图或典型接线参考，请查阅 ST 官方数据手册或提供具体电路应用以获得更精确的选型与驱动建议。