型号:

SN74HCS08DR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-14
批次:24+
包装:未知
重量:-
其他:
-
SN74HCS08DR 产品实物图片
SN74HCS08DR 一小时发货
描述:与门-IC-4-通道-施密特触发器输入-14-SOIC
库存数量
库存:
899
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.447
2500+
0.41
产品参数
属性参数值
逻辑类型与门
通道数4
工作电压2V~6V
静态电流(Iq)2uA
灌电流(IOL)7.8mA
拉电流(IOH)7.8mA
输入高电平(VIH)1.5V~4.2V
输入低电平(VIL)1V~3V
输出高电平(VOH)5.4V~5.75V
输出低电平(VOL)220mV~330mV
系列74HCS系列
传播延迟(tpd)12ns@6V,50pF
工作温度-40℃~+125℃
输入通道数2

SN74HCS08DR 产品概述

一、器件简介

SN74HCS08DR 是德州仪器(TI)HCS 系列的四通道二维与门(4×2 输入与门),采用 14 引脚 SOIC 封装,输入带施密特触发特性,适用于需要提高噪声免疫与慢上升/下降沿容忍的数字逻辑互连场景。器件工作电压范围宽(2V~6V),静态电流极低,适合电池供电及便携式设备使用。

二、主要特性(要点)

  • 逻辑类型:与门(4 通道,每通道 2 输入)
  • 输入特性:施密特触发输入,改善慢沿与噪声容限
  • 工作电压:2V ~ 6V
  • 输入高电平 VIH:1.5V ~ 4.2V
  • 输入低电平 VIL:1.0V ~ 3.0V
  • 输出高电平 VOH:5.4V ~ 5.75V(在高电压条件下典型)
  • 输出低电平 VOL:220mV ~ 330mV
  • 驱动能力:IOH / IOL ≈ 7.8mA
  • 传播延迟 tpd:12ns(在 VCC=6V,CL=50pF 条件下)
  • 静态电流 Iq:典型 2µA
  • 工作温度:-40℃ ~ +125℃

三、典型应用场景

  • 逻辑拼接与门控(glue logic)用于不同电压域间的逻辑接口
  • 抗干扰要求较高的开关信号整形与门控
  • 便携设备与电池供电电路,依靠低静态电流延长待机时间
  • 需要中等驱动能力的负载驱动与门输出

四、设计与使用建议

  • 电源旁路:在 VCC 与 GND 之间放置 0.1µF 的高频旁路电容,靠近封装电源引脚,以抑制瞬态噪声并降低传播延迟抖动。
  • 输入接口:施密特触发输入对慢沿有改善作用,但尽量避免长布线引入的高频噪声;必要时在输入端加小电阻或 RC 滤波。
  • 负载与驱动:驱动能力约 7.8mA,适合中小电流负载;驱动较大电流或长线时应增加缓冲器或使用功率驱动器。
  • 热与可靠性:器件允许广泛工作温度(-40℃ 至 +125℃),在高温或高频率应用中注意功耗管理与散热。
  • 电平兼容性:工作电压覆盖 2V—6V,可用于不同逻辑电平系统,但在与其他器件接口时应核对 VIH/VIL 范围以保证可靠识别。

五、封装与采购信息

  • 封装:14 引脚 SOIC(SN74HCS08DR)
  • 系列:74HCS(高性能 CMOS 兼容 TTL 电平)
  • 品牌:TI(德州仪器)
  • 选型提示:在批量设计前,请参考 TI 官方数据手册以获取完整的电气特性曲线、引脚排列图及应用电路示例,确保在目标工况(电压、负载、温度)下满足系统要求。

以上为 SN74HCS08DR 的功能与工程应用要点概述,有助于在系统设计阶段快速判断器件适配性与布板注意事项。